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Infineon Technologies SPI08N80C3
- Número de pieza.:
- SPI08N80C3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Datasheet:
-
SPI08N80C3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- CoolMOS™
- Paquete/Caja:
- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 800 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 650mOhm @ 5.1A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3.9V @ 470µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 60 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1100 pF @ 100 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 104W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PG-TO262-3
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Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.
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Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto SPI08N80C3. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido SPI08N80C3, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.
3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de SPI08N80C3?
El precio y el inventario de SPI08N80C3 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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Los clientes pueden elegir entre empresas líderes en logística como DHL, UPS, FedEx, TNT y Correo Registrado. También se ofrece seguro de envío.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SPI08N80C3?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SPI08N80C3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SPI08N80C3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SPI08N80C3?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | SPI08N80C3XKSA1 | SPI08N80C3 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
| Paquete/Caja | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Embalaje | Tube | Bulk |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | 800 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8A (Tc) | 8A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3.9V @ 470µA | 3.9V @ 470µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 60 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1100 pF @ 100 V | 1100 pF @ 100 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 104W (Tc) | 104W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3 |
Inventario:0
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Nexperia USA Inc.
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