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0Infineon Technologies IRF7322D1TRPBF
- Número de pieza.:
- IRF7322D1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Datasheet:
-
IRF7322D1TRPBF.pdf
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- FETKY™
- Paquete/Caja:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 5.3A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 2.7V, 4.5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 62mOhm @ 2.9A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 700mV @ 250µA (Min)
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 29 nC @ 4.5 V
- Vgs (máx.):
- ±12V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 780 pF @ 15 V
- Característica FET:
- Schottky Diode (Isolated)
- Disipación de potencia (máx.):
- 2W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-SO
Inventario:2,436
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BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
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SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
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BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
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