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Infineon Technologies IRF2804S-7PPBF
- Número de pieza.:
- IRF2804S-7PPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Datasheet:
-
IRF2804S-7PPBF.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- HEXFET®
- Paquete/Caja:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Discontinued at Digi-Key
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 160A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.6mOhm @ 160A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 260 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 6930 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 330W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- D2PAK (7-Lead)
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Se aceptan Transferencia Bancaria, PayPal, Alipay, Wechat, Tarjeta de Crédito, Western Union, MoneyGram y Escrow.
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de IRF2804S-7PPBF solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de IRF2804S-7PPBF.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de IRF2804S-7PPBF?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | IRF2804STRLPBF | IRF2804STRL | IRF2804STRR | IRF2804STRL-7P | IRF2804S-7PPBF |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Paquete/Caja | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| Estado del producto | Active | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 160A (Tc) | 160A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 2mOhm @ 75A, 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 1.6mOhm @ 160A, 10V | 1.6mOhm @ 160A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 6450 pF @ 25 V | 6450 pF @ 25 V | 6450 pF @ 25 V | 6930 pF @ 25 V | 6930 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 300W (Tc) | 330W (Tc) | 330W (Tc) | 330W (Tc) | 330W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - | - | - | - |
| Calificación | - | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK (7-Lead) | D2PAK (7-Lead) |
Inventario:2,302
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BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
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SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
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