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Infineon Technologies IPP023NE7N3G
- Número de pieza.:
- IPP023NE7N3G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-220-3
- Datasheet:
-
IPP023NE7N3G.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- OptiMOS™ 3
- Paquete/Caja:
- TO-220-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 75 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 120A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 2.3mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3.8V @ 273µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 206 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 14400 pF @ 37.5 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 300W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PG-TO220-3
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de IPP023NE7N3G solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de IPP023NE7N3G.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de IPP023NE7N3G?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | IPP023NE7N3GXKSA1 | IPP023NE7N3G |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 |
| Paquete/Caja | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Embalaje | Tube | Tube |
| Estado del producto | Active | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V | 75 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3.8V @ 273µA | 3.8V @ 273µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 206 nC @ 10 V | 206 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 14400 pF @ 37.5 V | 14400 pF @ 37.5 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3 |
Inventario:0
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BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
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