Hola!! Ahora
+8619886240609(Alice)
+8619886240609(Alice)
Mi cuenta
0Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2
- Número de pieza.:
- IPB80N06S4L07ATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datasheet:
-
IPB80N06S4L07ATMA2.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- OptiMOS™
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 60 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 80A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 6.7mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.2V @ 40µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 75 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±16V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 5680 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 79W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PG-TO263-3-2
Inventario:1,423
Por favor, envíe una consulta.Por favor, envíenos su pregunta y responderemos de inmediato.
-
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
-
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
- Envío rápido La puerta rápida y convenienteEntrega a domicilio.
- Seguridad de pago Más de 5 diferentes métodos de pago seguro.
- Estricto Control de calidad 365 días de servicio post-venta y garantía
- Simple y profesional Soluciones de adquisición electrónica integral.
