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0Infineon Technologies IGOT60R070D1E8220AUMA1
- Número de pieza.:
- IGOT60R070D1E8220AUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
- Descripción:
- GAN HV
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Serie:
- CoolGaN™
- Paquete/Caja:
- 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 600 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 31A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- -
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- -
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1.6V @ 2.6mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- -
- Vgs (máx.):
- -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 380 pF @ 400 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 125W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PG-DSO-20-87
Inventario:4,524
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BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
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SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
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BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
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