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Goford Semiconductor GT095N10S
- Número de pieza.:
- GT095N10S
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Datasheet:
-
GT095N10S.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Serie:
- SGT
- Paquete/Caja:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- -
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 11A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 10.5mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- -
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 3.1W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-SOP
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El precio y el inventario de GT095N10S fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar GT095N10S?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de GT095N10S solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de GT095N10S.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de GT095N10S?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | GT095N10S | GT095N10S |
| Fabricante | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
| Serie | SGT | SGT |
| Paquete/Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Embalaje | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | - |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 11A (Tc) | 11A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 10.5mOhm @ 20A, 10V | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 54 nC @ 10 V | - |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1628 pF @ 50 V | - |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.1W (Tc) | 3.1W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-SOP | 8-SOP |
Inventario:20,000
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