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Goford Semiconductor GC041N65QF
- Número de pieza.:
- GC041N65QF
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-247-3
- Datasheet:
-
GC041N65QF.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-247-3
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 650 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 70A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 43mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 160 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 7668 pF @ 400 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 500W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-247
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El precio y el inventario de GC041N65QF fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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Los clientes pueden elegir entre empresas líderes en logística como DHL, UPS, FedEx, TNT y Correo Registrado. También se ofrece seguro de envío.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar GC041N65QF?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de GC041N65QF solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de GC041N65QF.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de GC041N65QF?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | GC041N65QF | GC041N65QF |
| Fabricante | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
| Serie | - | SuperJunction |
| Paquete/Caja | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | 650 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 70A (Tc) | 70A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 43mOhm @ 20A, 10V | 43mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 160 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7668 pF @ 400 V | 7668 pF @ 400 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 500W (Tc) | 500W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-247 | TO-247 |
Inventario:3,000
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