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Fairchild Semiconductor IRFW730BTM
- Número de pieza.:
- IRFW730BTM
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datasheet:
-
IRFW730BTM.pdf
- Descripción:
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 400 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 5.5A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1Ohm @ 2.75A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 33 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1000 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 3.13W (Ta), 73W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- D2PAK
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar IRFW730BTM?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de IRFW730BTM solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de IRFW730BTM.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de IRFW730BTM?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | IRFW730BTMNL | IRFW730BTM |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Embalaje | Bulk | Bulk |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 400 V | 400 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1Ohm @ 2.75A, 10V | 1Ohm @ 2.75A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1000 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.13W (Ta), 73W (Tc) | 3.13W (Ta), 73W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | D2PAK | D2PAK |
Inventario:12,957
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Nexperia USA Inc.
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