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Diodes Incorporated DMWSH120H28SM3
- Número de pieza.:
- DMWSH120H28SM3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-247-3
- Descripción:
- SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-247-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 97.4A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 15V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 28.5mOhm @ 50A, 15V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3.6V @ 17.7mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 175 nC @ 15 V
- Vgs (máx.):
- +19V, -8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3905 pF @ 1000 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 405W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-247
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de DMWSH120H28SM3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DMWSH120H28SM3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | DMWSH120H28SM3 | DMWSH120H28SM3Q |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Embalaje | Tube | Tube |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | 1200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 97.4A (Tc) | 97.4A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 15V | 15V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 28.5mOhm @ 50A, 15V | 28.5mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3.6V @ 17.7mA | 3.6V @ 17.7mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 175 nC @ 15 V | 175 nC @ 15 V |
| Vgs (máx.) | +19V, -8V | +19V, -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3905 pF @ 1000 V | 3905 pF @ 1000 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 405W (Tc) | 405W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | Automotive |
| Calificación | - | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-247 | TO-247 |
Inventario:4,982
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