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Diodes Incorporated DMT26M0LDG-7
- Número de pieza.:
- DMT26M0LDG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-PowerVDFN
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- 8-PowerVDFN
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Característica FET:
- -
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 25V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
- Potencia: máx.:
- 1.24W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerDI3333-8 (Type F)
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Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.
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Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto DMT26M0LDG-7. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido DMT26M0LDG-7, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.
3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de DMT26M0LDG-7?
El precio y el inventario de DMT26M0LDG-7 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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Los clientes pueden elegir entre empresas líderes en logística como DHL, UPS, FedEx, TNT y Correo Registrado. También se ofrece seguro de envío.
Una vez que su pedido esté listo para ser enviado, nuestro vendedor le enviará un correo electrónico con el estado del envío y el número de seguimiento.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar DMT26M0LDG-7?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de DMT26M0LDG-7 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DMT26M0LDG-7.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de DMT26M0LDG-7?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | DMT26M0LDG-7 | DMT26M0LDG-13 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica FET | - | - |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V | 25V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc) | 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc) |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V | 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V | 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V | 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V |
| Potencia: máx. | 1.24W (Ta) | 1.24W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PowerDI3333-8 (Type F) | PowerDI3333-8 (Type F) |
Inventario:3,038
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SSM6N7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
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SSM6L56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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2N7002BKS,115
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