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Diodes Incorporated DMP3065LVT-7
- Número de pieza.:
- DMP3065LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Datasheet:
-
DMP3065LVT-7.pdf
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 4.9A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 42mOhm @ 4.9A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 12.3 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 587 pF @ 15 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.2W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TSOT-26
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El precio y el inventario de DMP3065LVT-7 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DMP3065LVT-7.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de DMP3065LVT-7?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | DMP3065LVT-13 | DMP3065LVT-7 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 5.1A (Ta) | 4.9A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 42mOhm @ 4.9A, 10V | 42mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.1V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 20 nC @ 10 V | 12.3 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 880 pF @ 15 V | 587 pF @ 15 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.2W (Ta) | 1.2W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TSOT-26 | TSOT-26 |
Inventario:2,698
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