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Diodes Incorporated DMP1012USS-13
- Número de pieza.:
- DMP1012USS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- -
- Datasheet:
-
DMP1012USS-13.pdf
- Descripción:
- MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- -
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 12 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8.5A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 1.8V, 4.5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 15mOhm @ 9A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 19.5 nC @ 4.5 V
- Vgs (máx.):
- ±8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1344 pF @ 10 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.3W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- -
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- -
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DMP1012USS-13.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | DMP1012USSQ-13 | DMP1012USS-13 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V | 12 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8.5A (Ta) | 8.5A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 13.5mOhm @ 9A, 4.5V | 15mOhm @ 9A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 31 nC @ 8 V | 19.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±8V | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1344 pF @ 10 V | 1344 pF @ 10 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | Automotive | - |
| Calificación | AEC-Q101 | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | - |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-SO | - |
Inventario:2,135
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Nexperia USA Inc.
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