Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Diodos simples

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Voltaje: CC inverso (Vr) (máx.) Corriente: rectificada promedio (Io) Voltaje: directo (Vf) (máx.) a If Velocidad Recuperación inversa Tiempo (trr) Corriente: fuga inversa a Vr Capacitancia @ Vr, F Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete Temperatura de funcionamiento - Unión


































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Voltaje: CC inverso (Vr) (máx.) Corriente: rectificada promedio (Io) Voltaje: directo (Vf) (máx.) a If Velocidad Recuperación inversa Tiempo (trr) Corriente: fuga inversa a Vr Capacitancia @ Vr, F Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete Temperatura de funcionamiento - Unión
    NDSH30120C-F155

    NDSH30120C-F155

    SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

    onsemi

    326
    RFQ
    NDSH30120C-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1961pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH4065A

    FFSH4065A

    DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2

    onsemi

    551
    RFQ
    FFSH4065A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 48A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1989pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH20120A-F155

    FFSH20120A-F155

    DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

    onsemi

    579
    RFQ
    FFSH20120A-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    NDSH40120C-F155

    NDSH40120C-F155

    SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

    onsemi

    421
    RFQ
    NDSH40120C-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 2840pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH30120A-F155

    FFSH30120A-F155

    DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2

    onsemi

    353
    RFQ
    FFSH30120A-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FJH1101

    FJH1101

    DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35

    onsemi

    3,738
    RFQ
    FJH1101

    Tabla de datos

    - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 15 V 150mA 1.1 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 15 pA @ 15 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
    FFSH40120A

    FFSH40120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 61A TO247-2

    onsemi

    387
    RFQ
    FFSH40120A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 61A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 2250pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH40120A-F155

    FFSH40120A-F155

    1200V 40A SIC SBD

    onsemi

    835
    RFQ
    FFSH40120A-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 61A 1.75 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 2250pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH50120A

    FFSH50120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 77A TO247-2

    onsemi

    1,905
    RFQ
    FFSH50120A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 77A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 2560pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    DFD05TG-BT

    DFD05TG-BT

    DFD05 - RECTIFIER DIODE, 0.5A, 8

    onsemi

    420,000
    RFQ
    DFD05TG-BT

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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