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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Diodos simples

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Voltaje: CC inverso (Vr) (máx.) Corriente: rectificada promedio (Io) Voltaje: directo (Vf) (máx.) a If Velocidad Recuperación inversa Tiempo (trr) Corriente: fuga inversa a Vr Capacitancia @ Vr, F Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete Temperatura de funcionamiento - Unión


































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Voltaje: CC inverso (Vr) (máx.) Corriente: rectificada promedio (Io) Voltaje: directo (Vf) (máx.) a If Velocidad Recuperación inversa Tiempo (trr) Corriente: fuga inversa a Vr Capacitancia @ Vr, F Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete Temperatura de funcionamiento - Unión
    NDSH10120C-F155

    NDSH10120C-F155

    SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

    onsemi

    450
    RFQ
    NDSH10120C-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 680pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSPF2065A

    FFSPF2065A

    DIODE SIC 650V 20A TO220F-2FS

    onsemi

    1,284
    RFQ
    FFSPF2065A

    Tabla de datos

    - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
    FFSH3065A

    FFSH3065A

    DIODE SIL CARB 650V 26A TO247-2

    onsemi

    2,045
    RFQ
    FFSH3065A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 26A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1705pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH10120A

    FFSH10120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

    onsemi

    277
    RFQ
    FFSH10120A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH2065A

    FFSH2065A

    DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2

    onsemi

    260
    RFQ
    FFSH2065A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH10120A-F155

    FFSH10120A-F155

    DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

    onsemi

    180
    RFQ
    FFSH10120A-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH2065ADN-F155

    FFSH2065ADN-F155

    DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3

    onsemi

    632
    RFQ
    FFSH2065ADN-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
    NDSH20120C-F155

    NDSH20120C-F155

    SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

    onsemi

    415
    RFQ
    NDSH20120C-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1480pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH15120A

    FFSH15120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

    onsemi

    229
    RFQ
    FFSH15120A

    Tabla de datos

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 936pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    FFSH3065ADN-F155

    FFSH3065ADN-F155

    DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3

    onsemi

    447
    RFQ
    FFSH3065ADN-F155

    Tabla de datos

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 887pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
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