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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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EPC7003ASHGAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB EPC Space, LLC |
25 | - |
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Tabla de datos |
eGaN®, FSMD-A | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel, Depletion Mode | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 10A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 10A, 5V | 2.5V @ 1.4mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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EPC7004BSHGAN FET HEMT EPC Space, LLC |
25 | - |
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Tabla de datos |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 15mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 11 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1000 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-FSMD-B |
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EPC7020GCGAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | - | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7020GSHGAN FET HEMT 200V 80A 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 13.5 nC @ 100 V | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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FBG10N05ASHGAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 5A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 5A, 5V | 2.5V @ 1.2mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG20N04ASHGAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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Tabla de datos |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 4A (Tc) | 5V | 130mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 1mA | 3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 150 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG04N08ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
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Tabla de datos |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 8A (Tc) | 5V | 24mOhm @ 8A, 5V | 2.5V @ 2mA | 2.8 nC @ 5 V | +6V, -4V | 312 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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