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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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EPC7001BCGAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B EPC Space, LLC |
146 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7002ACGAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A EPC Space, LLC |
89 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7007BSHGAN FET HEMT 200V 18A 4UB EPC Space, LLC |
50 | - |
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Tabla de datos |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 28mOhm @ 18A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 900 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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EPC7001BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
50 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7002ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
50 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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EPC7019GCGAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB EPC Space, LLC |
25 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 80A (Tc) | 5V | 4mOhm @ 50A, 5V | 2.5V @ 18mA | - | +6V, -4V | 2830 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7018GCGAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB EPC Space, LLC |
2 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7018GSHGAN FET HEMT 100V 90A 5UB EPC Space, LLC |
10 | - |
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Tabla de datos |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
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EPC7014UBSHGAN FET HEMT 60V 1A 4UB EPC Space, LLC |
11 | - |
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Tabla de datos |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 60 V | 1A (Tc) | 5V | 580mOhm @ 1A, 5V | 2.5V @ 140µA | - | - | 22 pF @ 30 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG04N30BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
13 | - |
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Tabla de datos |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 9mA | 11.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1300 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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