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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXTP32N20TMOSFET N-CH 200V 32A TO220AB IXYS |
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Tabla de datos |
Trench | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 32A (Tc) | 10V | 72mOhm @ 16A, 10V | 4.5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1760 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IXFH10N100QMOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 10A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 5A, 10V | 4.5V @ 4mA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 4000 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH14N100MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 220 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH150N17TMOSFET N-CH 175V 150A TO247AD IXYS |
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TrenchHV™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 175 V | 150A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 5V @ 3mA | 155 nC @ 10 V | ±30V | 9800 pF @ 25 V | - | 830W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH15N100MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 15A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 220 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH30N50MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD IXYS |
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HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 160mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 4mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH30N50QMOSFET N-CH 500V 30A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 160mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 4mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH4N100QMOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 4A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 1.5mA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1050 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH60N25QMOSFET N-CH 250V 60A TO247AD IXYS |
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HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 60A (Tc) | 10V | 47mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH6N100QMOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 6A (Tc) | 10V | 1.9Ohm @ 3A, 10V | 4.5V @ 2.5mA | 48 nC @ 10 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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