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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXFL60N60MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 IXYS |
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HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 60A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 10000 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
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IXFK30N110PMOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA IXYS |
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HiPerFET™, Polar | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1100 V | 30A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 15A, 10V | 6.5V @ 1mA | 235 nC @ 10 V | ±30V | 13600 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
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IXFE44N60MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 41A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 22A, 10V | 4.5V @ 8mA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 8900 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFE55N50MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 47A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 27.5A, 10V | 4.5V @ 8mA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 9400 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFL39N90MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 IXYS |
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HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 34A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 19.5A, 10V | 5V @ 8mA | 375 nC @ 10 V | ±20V | 13400 pF @ 25 V | - | 580W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
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IXFB80N50Q2MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q2 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 80A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 15000 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS264™ |
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IXKF40N60SCD1MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC IXYS |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | i4-Pac™-5 (3 Leads) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 41A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 25A, 10V | 3.9V @ 3mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | - | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS i4-PAC™ |
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IXFK180N10MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA IXYS |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 8mA | 390 nC @ 10 V | ±20V | 10900 pF @ 25 V | - | 560W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
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IXFN150N15MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B IXYS |
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HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 150A (Tc) | 10V | 12.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 8mA | 360 nC @ 10 V | ±20V | 9100 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXFH80N085MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD IXYS |
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HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 85 V | 80A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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