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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXFA4N100Q-TRLMOSFET N-CH 1000V 4A TO263 IXYS |
3,065 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 4A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 1.5mA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1050 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AA (IXFA) |
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IXTH32N65XMOSFET N-CH 650V 32A TO247 IXYS |
2,333 | - |
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Tabla de datos |
Ultra X | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 32A (Tc) | 10V | 135mOhm @ 16A, 10V | 5.5V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±30V | 2205 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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IXFH15N60MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD IXYS |
4,805 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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LSIC1MO120T0160-TU1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS |
4,674 | - |
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- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 22A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
.jpg)
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IXFR26N50QMOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 IXYS |
4,740 | - |
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- |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 24A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 13A, 10V | 4.5V @ 4mA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXFR26N50MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 IXYS |
4,121 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 26A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 4mA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 4200 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
.jpg)
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IXFX74N50P2MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247-3 IXYS |
4,016 | - |
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- |
HiPerFET™, PolarHV™ | TO-247-3 Variant | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 74A (Tc) | 10V | 77mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 165 nC @ 10 V | ±30V | 9900 pF @ 25 V | - | 1400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
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IXFH21N50MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD IXYS |
2,371 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 21A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 10.5A, 10V | 4V @ 4mA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 4200 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXT-1-1N100S1-TRMOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC IXYS |
4,086 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 1.5A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IXTH50N30MOSFET N-CH 300V 50A TO247 IXYS |
2,316 | - |
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- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 50A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 165 nC @ 10 V | ±30V | 4400 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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