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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXFR32N80Q3MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 IXYS |
2,710 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 24A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 16A, 10V | 6.5V @ 4mA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 6940 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
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IXTN400N20X4Ultra Junction X4-Class Power IXYS |
4,493 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 340A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | 348 nC @ 10 V | ±20V | 27700 pF @ 25 V | - | 830W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B - miniBLOC |
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IXTN500N20X4Ultra Junction X4-Class Power IXYS |
2,060 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 500A (Tc) | 10V | 1.99mOhm @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | 535 nC @ 10 V | ±20V | 41500 pF @ 25 V | - | 1150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B - miniBLOC |
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IXFN75N120SKSIC AND MULTICHIP DISCRETE IXYS |
2,578 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 75A (Tc) | 15V | 27mOhm @ 50A, 15V | 3.6V @ 18mA | 158 nC @ 15 V | +15V, -4V | 4820 pF @ 1000 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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IXTY1R4N60P TRLMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 IXYS |
2,272 | - |
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Tabla de datos |
Polar™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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IXTY1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 IXYS |
3,660 | - |
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Tabla de datos |
PolarHV™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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IXTP1R6N50PMOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB IXYS |
2,541 | - |
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- |
Polar | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 1.6A (Tc) | 10V | 6.5Ohm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 3.9 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IXTP1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB IXYS |
4,563 | - |
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Tabla de datos |
PolarHV™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IXTU12N06TMOSFET N-CH 60V 12A TO251 IXYS |
3,482 | - |
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Tabla de datos |
Trench | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 25µA | 3.4 nC @ 10 V | ±20V | 256 pF @ 25 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
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IXTU1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 IXYS |
2,453 | - |
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Tabla de datos |
PolarHV™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
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