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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDPF035N06B88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL , Fairchild Semiconductor |
177,137 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FQA6N70MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P Fairchild Semiconductor |
4,865 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 6.4A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 3.2A, 10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF @ 25 V | - | 152W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
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FQPF46N15MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F Fairchild Semiconductor |
3,000 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 25.6A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 12.8A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±25V | 3250 pF @ 25 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FQPF34N20LMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F Fairchild Semiconductor |
653 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 17.5A (Tc) | 5V, 10V | 75mOhm @ 8.75A, 10V | 2V @ 250µA | 72 nC @ 5 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 55W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FDP8860POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Fairchild Semiconductor |
15,367 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.5mOhm @ 80A, 10V | 2.5V @ 250µA | 222 nC @ 10 V | ±20V | 12240 pF @ 15 V | - | 254W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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HUF76437P3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,200 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 71A, 10V | 3V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±16V | 2230 pF @ 25 V | - | 155W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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HUFA75339P3MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
2,440 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FDS7064NMOSFET N-CH 30V 16A 8SO Fairchild Semiconductor |
65,979 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Ta) | 4.5V | 7.5mOhm @ 16A, 4.5V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 4.5 V | ±12V | 3355 pF @ 15 V | - | 3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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FCPF600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F Fairchild Semiconductor |
152,000 | - |
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Tabla de datos |
SuperFET® II | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.4A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.7A, 10V | 3.5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1120 pF @ 25 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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HUF75639S3STPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Fairchild Semiconductor |
810 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 56A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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