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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT070HU120G3AGHU3PAK STMicroelectronics |
2,097 | - |
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- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 15V, 18V | 87mOhm @ 15A, 18V | 4.2V @ 1mA | 37 nC @ 18 V | +22V, -10V | 900 pF @ 850 V | - | 223W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | HU3PAK |
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SCT040W120G3-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 STMicroelectronics |
3,413 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCTWA40N120G2VDISCRETE STMicroelectronics |
2,341 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 36A (Tc) | 18V | 100mOhm @ 20A, 18V | 4.9V @ 1mA | 61 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1233 pF @ 800 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
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SCTWA40N120G2V-4DISCRETE STMicroelectronics |
3,786 | - |
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- |
- | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 36A (Tc) | 18V | 100mOhm @ 20A, 18V | 4.9V @ 1mA | 61 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1233 pF @ 800 V | - | 277W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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|
SCT040H120G3AGH2PAK-7 STMicroelectronics |
3,906 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 15V, 18V | 54mOhm @ 16A, 18V | 4.2V @ 5mA | 54 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1329 pF @ 800 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-7 |
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SCT040HU120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
3,172 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCTWA40N12G24AGTO247-4 STMicroelectronics |
4,137 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 33A (Tc) | 18V | 105mOhm @ 20A, 18V | 5V @ 1mA | 63 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1230 pF @ 800 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
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SCT025H120G3-7SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 STMicroelectronics |
2,057 | - |
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- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT020W120G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
2,220 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT020HU120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
2,975 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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