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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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RUS100N02TBMOSFET N-CH 20V 10A 8SOP Rohm Semiconductor |
104 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 10A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 12mOhm @ 10A, 4.5V | 1V @ 1mA | 24 nC @ 4.5 V | ±10V | 2250 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
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R8005ANXMOSFET N-CH 800V 5A TO220FM Rohm Semiconductor |
333 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 5A (Tc) | 10V | 2.08Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 1mA | 21 nC @ 10 V | ±30V | 485 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
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R6008ANXMOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Rohm Semiconductor |
1,234 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 1mA | 21 nC @ 10 V | ±30V | 680 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
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R5016FNJTLMOSFET N-CH 500V 16A LPT Rohm Semiconductor |
816 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 16A (Tc) | 10V | 325mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 1mA | 46 nC @ 10 V | ±30V | 1700 pF @ 25 V | - | 255W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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R6012FNJTLMOSFET N-CH 600V 12A LPT Rohm Semiconductor |
938 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 510mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1300 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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RSJ800N06TLMOSFET N-CH 60V 80A LPTS Rohm Semiconductor |
1,990 | - |
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- |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | LPTS |
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R6008FNJTLMOSFET N-CH 600V 8A LPTS Rohm Semiconductor |
1,751 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 1mA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 580 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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R6015FNJTLMOSFET N-CH 600V 15A LPT Rohm Semiconductor |
980 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 7.5A, 10V | 5V @ 1mA | 42 nC @ 10 V | ±30V | 1660 pF @ 25 V | - | 255W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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R6020FNJTLMOSFET N-CH 600V 20A LPT Rohm Semiconductor |
958 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 1mA | 60 nC @ 10 V | ±30V | 2350 pF @ 25 V | - | 304W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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R6507ENJTLMOSFET N-CH 650V 7A LPTS Rohm Semiconductor |
998 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 665mOhm @ 2.4A, 10V | 4V @ 200µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF @ 25 V | - | 78W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
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