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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FQD4P25TMMOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK onsemi |
2,359 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 3.1A (Tc) | 10V | 2.1Ohm @ 1.55A, 10V | 5V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±30V | 420 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FQP5P10MOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3 onsemi |
4,859 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQP4P25MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3 onsemi |
3,217 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4A (Tc) | 10V | 2.1Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±30V | 420 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQD10N20CTMMOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK onsemi |
2,510 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7.8A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 510 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FQP13N10LMOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 onsemi |
3,900 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12.8A (Tc) | 5V, 10V | 180mOhm @ 6.4A, 10V | 2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±20V | 520 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQP13N10MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3 onsemi |
3,966 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12.8A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 6.4A, 10V | 4V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±25V | 450 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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HUF75307D3STMOSFET N-CH 55V 15A TO252AA onsemi |
3,131 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 15A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 20 V | ±20V | 250 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FQP630TSTUMOSFET N-CH 200V 9A TO220-3 onsemi |
4,760 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 550 pF @ 25 V | - | 78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQU2N60CTUMOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK onsemi |
3,402 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.9A (Tc) | 10V | 4.7Ohm @ 950mA, 10V | 4V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 235 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP onsemi |
3,734 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 47mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±8V | 1193 pF @ 10 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSSOP |
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