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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FDZ293PMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA onsemi |
4,244 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 9-VFBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 46mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±12V | 754 pF @ 10 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 9-BGA (1.5x1.6) |
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FQU13N10LTUMOSFET N-CH 100V 10A IPAK onsemi |
3,214 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Tc) | 5V, 10V | 180mOhm @ 5A, 10V | 2V @ 250µA | 12 nC @ 5 V | ±20V | 520 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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FQPF11P06MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F onsemi |
4,342 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 8.6A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 550 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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FQU10N20CTUMOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK onsemi |
4,067 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7.8A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 510 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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RFD3055SMMOSFET N-CH 60V 12A TO252AA onsemi |
2,309 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 23 nC @ 20 V | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 53W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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FQU11P06TUMOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK onsemi |
3,344 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 9.4A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 550 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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FQPF13N10MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F onsemi |
4,794 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 8.7A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 4.35A, 10V | 4V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±25V | 450 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
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HUF75307D3MOSFET N-CH 55V 15A IPAK onsemi |
2,934 | - |
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Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 15A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 20 V | ±20V | 250 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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FQP7N20MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3 onsemi |
4,290 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 6.6A (Tc) | 10V | 690mOhm @ 3.3A, 10V | 5V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±30V | 400 pF @ 25 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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FQP11P06MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3 onsemi |
4,646 | - |
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Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 11.4A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 5.7A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 550 pF @ 25 V | - | 53W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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