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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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CPH3422-TL-EMOSFET N-CH onsemi |
15,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCH1436-TL-WMOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563/SCH6 onsemi |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-563, SOT-666 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.8A (Ta) | 4V, 10V | 180mOhm @ 900mA, 10V | 2.6V @ 1mA | 2 nC @ 10 V | ±20V | 88 pF @ 10 V | - | 800mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
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SCH1332-TL-WMOSFET P-CH 20V 2.5A SOT563/SCH6 onsemi |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-563, SOT-666 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 95mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 4.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 375 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
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MCH3412-EBM-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
12,000 | - |
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- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CPH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES onsemi |
9,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTD4806NA-1GMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK onsemi |
0 | - |
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- |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | - | 6mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nC @ 4.5 V | - | 2142 pF @ 12 V | - | - | - | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTD50N03R-1GMOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK onsemi |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 7.8A (Ta), 45A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 12mOhm @ 30A, 11.5V | 2V @ 250µA | 15 nC @ 11.5 V | ±20V | 750 pF @ 12 V | - | 1.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTD4808N-35GMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK onsemi |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta), 63A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1538 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
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NTGS3443T2GMOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP onsemi |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 65mOhm @ 4.4A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±12V | 565 pF @ 5 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-TSOP |
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2SK669KN-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET onsemi |
2,843 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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