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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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5HN02C-TB-EN-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET onsemi |
39,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MCH3411-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES onsemi |
36,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MCH5805-TL-EPCH+SBD 4V DRIVE SERIES onsemi |
36,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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VN2222LLRLSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET onsemi |
30,204 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 150mA | 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 400mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92 (TO-226) |
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NTHS5443T1HPFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH onsemi |
27,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTHD4P02FT1MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET onsemi |
20,955 | - |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MCH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES onsemi |
18,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTD23N03RGMOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK onsemi |
3,106 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) | 4V, 5V | 45mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 3.76 nC @ 4.5 V | ±20V | 225 pF @ 20 V | - | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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MCH5837-TL-EMOSFET N-CH 20V 2A 5MCPH onsemi |
15,000 | - |
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- |
- | 6-SMD (5 Leads), Flat Leads | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2A (Ta) | - | 145mOhm @ 1A, 4V | - | 1.8 nC @ 4 V | - | 115 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 800mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-MCPH |
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MCH3312-EBM-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
15,000 | - |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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