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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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MSC020SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE Microchip Technology |
4,875 | - |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC045SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIE Microchip Technology |
3,478 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC025SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247- Microchip Technology |
3,766 | - |
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- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 104A | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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MSC025SMA120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM PSMT Microchip Technology |
3,394 | - |
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Tabla de datos |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 108A (Tc) | 18V, 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 3mA | 232 nC @ 20 V | +23V, -10V | 3633 pF @ 1000 V | - | 524W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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MSC030SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE Microchip Technology |
3,674 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC400SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247 Microchip Technology |
3,186 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 11A (Tc) | 20V | 520mOhm @ 5A, 20V | 2.97V @ 1mA | 37 nC @ 20 V | +23V, -10V | 579 pF @ 2.4 kV | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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MSC011SMC120D/SMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE Microchip Technology |
2,908 | - |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC011SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T Microchip Technology |
2,985 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC080SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE Microchip Technology |
4,200 | - |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC040SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263 Microchip Technology |
4,043 | - |
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Tabla de datos |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 18V, 20V | 50mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA | 137 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1962 pF @ 1000 V | - | 338W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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