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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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,TO-226_straightlead.jpg)
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VN2406L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Microchip Technology |
1,271 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 190mA (Tj) | 2.5V, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TP0620N3-GMOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3 Microchip Technology |
791 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 175mA (Tj) | 5V, 10V | 12Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TN2640N3-GMOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3 Microchip Technology |
167 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 220mA (Tj) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 2mA | - | ±20V | 225 pF @ 25 V | - | 740mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VN0550N3-G-P013MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 Microchip Technology |
2,099 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50mA (Tj) | 5V, 10V | 60Ohm @ 50mA, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 55 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VN4012L-GMOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3 Microchip Technology |
457 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 160mA (Tj) | 4.5V | 12Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.8V @ 1mA | - | ±20V | 110 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TP2635N3-GMOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3 Microchip Technology |
344 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 180mA (Tj) | 2.5V, 10V | 15Ohm @ 300mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VP2206N3-G-P003MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Microchip Technology |
2,228 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 640mA (Tj) | 5V, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 3.5V @ 10mA | - | ±20V | 450 pF @ 25 V | - | 740mW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VN2224N3-GMOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 Microchip Technology |
1,025 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 540mA (Tj) | 5V, 10V | 1.25Ohm @ 2A, 10V | 3V @ 5mA | - | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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APT8M100BMOSFET N-CH 1000V 8A TO247 Microchip Technology |
536 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 8A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 1mA | 60 nC @ 10 V | ±30V | 1885 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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MSC750SMA170STRANS SJT 1700V D3PAK Microchip Technology |
442 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 6A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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