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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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BUZ32 HMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.5A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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BUZ73H3046XKSA1MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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BUZ73A HMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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BUZ73A H3046MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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BUZ73LHXKSA1MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
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Tabla de datos |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7A (Tc) | 5V | 400mOhm @ 3.5A, 5V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 840 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPA65R110CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 31.2A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 12.7A, 10V | 4.5V @ 1.3mA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 3240 pF @ 100 V | - | 34.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
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IPA65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
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IPA65R190CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 730µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
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IPA65R310CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 32W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
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IPA65R420CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 31.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
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