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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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2N7638-GATRANS SJT 650V 8A TO276 GeneSiC Semiconductor |
4,446 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-276AA | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 8A (Tc) (158°C) | - | 170mOhm @ 8A | - | - | - | 720 pF @ 35 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-276 |
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2N7637-GATRANS SJT 650V 7A TO257 GeneSiC Semiconductor |
4,743 | - |
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- |
- | TO-257-3 | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 7A (Tc) (165°C) | - | 170mOhm @ 7A | - | - | - | 720 pF @ 35 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-257 |
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GA100JT17-227TRANS SJT 1700V 160A SOT227 GeneSiC Semiconductor |
4,434 | - |
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- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 160A (Tc) | - | 10mOhm @ 100A | - | - | - | 14400 pF @ 800 V | - | 535W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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2N7640-GATRANS SJT 650V 16A TO276 GeneSiC Semiconductor |
2,132 | - |
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- | TO-276AA | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 16A (Tc) (155°C) | - | 105mOhm @ 16A | - | - | - | 1534 pF @ 35 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-276 |
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2N7639-GATRANS SJT 650V 15A TO257 GeneSiC Semiconductor |
4,362 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-257-3 | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 15A (Tc) (155°C) | - | 105mOhm @ 15A | - | - | - | 1534 pF @ 35 V | - | 172W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-257 |
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GA50JT06-258TRANS SJT 600V 100A TO258 GeneSiC Semiconductor |
3,652 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-258-3, TO-258AA | Bulk | Active | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 600 V | 100A (Tc) | - | 25mOhm @ 50A | - | - | - | - | - | 769W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-258 |
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