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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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GA10JT12-263TRANS SJT 1200V 25A GeneSiC Semiconductor |
4,299 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 25A (Tc) | - | 120mOhm @ 10A | - | - | - | 1403 pF @ 800 V | - | 170W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
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GA10JT12-247TRANS SJT 1200V 10A TO247AB GeneSiC Semiconductor |
4,939 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 10A (Tc) | - | 140mOhm @ 10A | - | - | - | - | - | 170W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AB |
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G3R30MT12JSIC MOSFET N-CH 96A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
4,159 | - |
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Tabla de datos |
G3R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 96A (Tc) | 15V | 36mOhm @ 50A, 15V | 2.69V @ 12mA | 155 nC @ 15 V | ±15V | 3901 pF @ 800 V | - | 459W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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GA04JT17-247TRANS SJT 1700V 4A TO247AB GeneSiC Semiconductor |
3,242 | - |
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- |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 4A (Tc) (95°C) | - | 480mOhm @ 4A | - | - | - | - | - | 106W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AB |
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GA20JT12-247TRANS SJT 1200V 20A TO247AB GeneSiC Semiconductor |
3,255 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 20A (Tc) | - | 70mOhm @ 20A | - | - | - | - | - | 282W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AB |
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GA20JT12-263TRANS SJT 1200V 45A D2PAK GeneSiC Semiconductor |
2,886 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 45A (Tc) | - | 60mOhm @ 20A | - | - | - | 3091 pF @ 800 V | - | 282W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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GA10SICP12-263TRANS SJT 1200V 25A D2PAK GeneSiC Semiconductor |
3,534 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 25A (Tc) | - | 100mOhm @ 10A | - | - | - | 1403 pF @ 800 V | - | 170W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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GA20SICP12-247TRANS SJT 1200V 45A TO247AB GeneSiC Semiconductor |
3,912 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 45A (Tc) | - | 50mOhm @ 20A | - | - | - | 3091 pF @ 800 V | - | 282W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AB |
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GA08JT17-247TRANS SJT 1700V 8A TO247AB GeneSiC Semiconductor |
3,337 | - |
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- |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 8A (Tc) (90°C) | - | 250mOhm @ 8A | - | - | - | - | - | 48W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AB |
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GA05JT01-46TRANS SJT 100V 9A TO46 GeneSiC Semiconductor |
2,237 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-46-3 | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 100 V | 9A (Tc) | - | 240mOhm @ 5A | - | - | - | - | - | 20W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-46 |
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