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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MCH6634-TL-E

    MCH6634-TL-E

    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    5,875
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTND3184NZTAG

    NTND3184NZTAG

    MOSFET 2N-CH 20V 0.22A 6XLLGA

    onsemi

    3,475
    RFQ

    -

    - 6-XFLGA Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 20V 220mA (Ta) 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - 12.3pF @ 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-XLLGA (.90x.65)
    NTZD3152PT1H

    NTZD3152PT1H

    MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563

    onsemi

    4,884
    RFQ
    NTZD3152PT1H

    Tabla de datos

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 430mA 900mOhm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 175pF @ 16V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    RMD0A8P20ES9

    RMD0A8P20ES9

    MOSFET 2P-CH 20V 0.8A SOT363-6L

    Rectron USA

    18,000
    RFQ
    RMD0A8P20ES9

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 800mA (Ta) 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.0018C @ 4.5V 87pF @ 10V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363-6L
    SCH2819-TL-H

    SCH2819-TL-H

    NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    255,000
    RFQ
    SCH2819-TL-H

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTZD3158PT1G

    NTZD3158PT1G

    MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563

    onsemi

    2,992
    RFQ

    -

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 430mA 900mOhm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 175pF @ 16V 250mW - - - Surface Mount SOT-563
    SCH2830-S-TL-E

    SCH2830-S-TL-E

    PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    139,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH6619-TL-E

    CPH6619-TL-E

    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    12,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6631-TL-E-SY

    MCH6631-TL-E-SY

    MOSFET N/P-CH

    Sanyo

    93,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6644-C-TL-E

    MCH6644-C-TL-E

    PCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    48,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2817-TL-E

    SCH2817-TL-E

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    40,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6631-TL-E

    MCH6631-TL-E

    MOSFET N/P-CH

    onsemi

    6,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2817-TL-H

    SCH2817-TL-H

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    680,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

    MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON

    NXP Semiconductors

    360,000
    RFQ
    PMDPB95XNE2X

    Tabla de datos

    - 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 2.7A (Ta) 99mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 258pF @ 15V 510mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    FDY4001CZ

    FDY4001CZ

    MOSFET N/P-CH 20V 0.2A SOT563F

    Fairchild Semiconductor

    102,634
    RFQ
    FDY4001CZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-563, SOT-666 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 200mA, 150mA 5Ohm @ 200mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.1nC @ 4.5V 60pF @ 10V 446mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563F
    MCH6626-TL-E

    MCH6626-TL-E

    MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A 6MCPH

    onsemi

    48,750
    RFQ

    -

    - 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 1.6A, 1A 230mOhm @ 800mA, 4V - 1.4nC @ 4V 105pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    MCH6626-TL-H

    MCH6626-TL-H

    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    39,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW261-TL-E

    FW261-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    23,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    6LP04CH-TL-E

    6LP04CH-TL-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    18,000
    RFQ
    6LP04CH-TL-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC3C001NUZTCG

    EFC3C001NUZTCG

    MOSFET 2N-CH 4WLCSP

    onsemi

    4,310
    RFQ
    EFC3C001NUZTCG

    Tabla de datos

    - 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - 1.3V @ 1mA 15nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1.26x1.26)
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