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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    DMN63D0LT-7

    DMN63D0LT-7

    MOSFET N-CH 100V SOT523

    Diodes Incorporated

    3,000
    RFQ

    -

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6646-TL-E

    MCH6646-TL-E

    NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES

    onsemi

    5,853,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTND31211PZTAG

    NTND31211PZTAG

    MOSFET P-CH

    onsemi

    597,651
    RFQ
    NTND31211PZTAG

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    PMDPB95XNE,115

    PMDPB95XNE,115

    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON

    NXP USA Inc.

    3,338
    RFQ
    PMDPB95XNE,115

    Tabla de datos

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.4A 120mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 143pF @ 15V 475mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    FDY2001PZ

    FDY2001PZ

    MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT563F

    Fairchild Semiconductor

    161,335
    RFQ
    FDY2001PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® SOT-563, SOT-666 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 150mA 8Ohm @ 150mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 100pF @ 10V 446mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563F
    6LN04CH-TL-E-ON

    6LN04CH-TL-E-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    72,000
    RFQ
    6LN04CH-TL-E-ON

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2806-TL-E

    SCH2806-TL-E

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    40,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK443-6-TB-E-ON

    2SK443-6-TB-E-ON

    PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

    onsemi

    16,500
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    6LN04CH-TL-E

    6LN04CH-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    15,000
    RFQ
    6LN04CH-TL-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK443-6-TB-E

    2SK443-6-TB-E

    PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

    Sanyo

    5,520
    RFQ
    2SK443-6-TB-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    PMCXB900UEZ

    PMCXB900UEZ

    MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

    NXP Semiconductors

    1,679,901
    RFQ
    PMCXB900UEZ

    Tabla de datos

    TrenchFET® 6-XFDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate 20V 600mA, 500mA 620mOhm @ 600mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7nC @ 4.5V 21.3pF @ 10V 265mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010B-6
    PMDXB1200UPEZ

    PMDXB1200UPEZ

    MOSFET 30V

    NXP Semiconductors

    1,046,148
    RFQ
    PMDXB1200UPEZ

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2819-P-TL-H

    SCH2819-P-TL-H

    NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    855,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH5617-TL-E

    CPH5617-TL-E

    MOSFET 2N-CH 30V 0.15A 5CPH

    onsemi

    2,497
    RFQ
    CPH5617-TL-E

    Tabla de datos

    - 5-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 150mA 3.7Ohm @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V 7pF @ 10V 250mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-CPH
    SCH2408-TL-E

    SCH2408-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    200,000
    RFQ
    SCH2408-TL-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    6HN04SS-TL-H

    6HN04SS-TL-H

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    136,000
    RFQ
    6HN04SS-TL-H

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6630-TL-E-ON

    MCH6630-TL-E-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    93,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2401-TL-E

    SCH2401-TL-E

    NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    85,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6630-TL-E

    MCH6630-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    30,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2408-TL-E-ON

    SCH2408-TL-E-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    30,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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