Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD0

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    IXYS
    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    VWM270-0075X2

    VWM270-0075X2

    MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK

    IXYS

    4,526
    RFQ

    -

    - V2-PAK Box Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 270A 2.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 500µA 360nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount V2-PAK
    MKE38P600TLB

    MKE38P600TLB

    MOSFET 600V 50A ISOPLUS-SMPD

    IXYS

    2,685
    RFQ
    MKE38P600TLB

    Tabla de datos

    - 9-SMD Module Bulk Active - - - 600V 50A (Tc) - - - - - - - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
    MKE38P600TLB-TRR

    MKE38P600TLB-TRR

    MOSFET ISOPLUS-SMPD

    IXYS

    4,525
    RFQ
    MKE38P600TLB-TRR

    Tabla de datos

    - 9-SMD Module Bulk Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
    MCB30P1200LB-TRR

    MCB30P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    2,635
    RFQ
    MCB30P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    MCB30P1200LB 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB30P1200LB-TUB

    MCB30P1200LB-TUB

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    3,170
    RFQ
    MCB30P1200LB-TUB

    Tabla de datos

    MCB30P1200LB 9-PowerSMD Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB20P1200LB-TRR

    MCB20P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    2,945
    RFQ
    MCB20P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    MCB20P1200LB 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB20P1200LB-TUB

    MCB20P1200LB-TUB

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    3,215
    RFQ
    MCB20P1200LB-TUB

    Tabla de datos

    MCB20P1200LB 9-PowerSMD Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB40P1200LB-TRR

    MCB40P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 58A 9SMPD

    IXYS

    2,240
    RFQ
    MCB40P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    - 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 58A - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    Total 78 Record«Prev1... 45678Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios

    Consejosχ