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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    VHM40-06P1

    VHM40-06P1

    MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

    IXYS

    4,204
    RFQ

    -

    - ECO-PAC2 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 38A 70mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 3mA 220nC @ 10V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ECO-PAC2
    VMM1000-01P

    VMM1000-01P

    MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

    IXYS

    4,942
    RFQ
    VMM1000-01P

    Tabla de datos

    - Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 1000A 1.2mOhm @ 800A, 10V 4V @ 10mA 2355nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Y3-Li
    VMM85-02F

    VMM85-02F

    MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4-M6

    IXYS

    4,097
    RFQ
    VMM85-02F

    Tabla de datos

    HiPerFET™ Y4-M6 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 84A 25mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 450nC @ 10V 15000pF @ 25V 370W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Y4-M6
    VWM200-01P

    VWM200-01P

    MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

    IXYS

    3,659
    RFQ
    VWM200-01P

    Tabla de datos

    - V2-PAK Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 210A 5.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 2mA 430nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount V2-PAK
    GWM100-0085X1-SMD

    GWM100-0085X1-SMD

    MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

    IXYS

    3,520
    RFQ
    GWM100-0085X1-SMD

    Tabla de datos

    - 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 85V 103A 6.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 114nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM100-01X1-SLSAM

    GWM100-01X1-SLSAM

    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

    IXYS

    4,566
    RFQ

    -

    - 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM100-01X1-SMDSAM

    GWM100-01X1-SMDSAM

    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

    IXYS

    4,267
    RFQ

    -

    - 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM120-0075P3-SL

    GWM120-0075P3-SL

    MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

    IXYS

    2,636
    RFQ
    GWM120-0075P3-SL

    Tabla de datos

    - 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    FMM110-015X2F

    FMM110-015X2F

    MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

    IXYS

    3,143
    RFQ

    -

    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 150V 53A 20mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V 8600pF @ 25V 180W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMP76-010T

    FMP76-010T

    MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC

    IXYS

    4,139
    RFQ

    -

    Trench™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 62A, 54A 11mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104nC @ 10V 5080pF @ 25V 89W, 132W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
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