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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    APTM10TDUM19PG

    APTM10TDUM19PG

    MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

    Microsemi Corporation

    3,946
    RFQ
    APTM10TDUM19PG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 70A 21mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 200nC @ 10V 5100pF @ 25V 208W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTM120TDU57PG

    APTM120TDU57PG

    MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

    Microsemi Corporation

    4,671
    RFQ
    APTM120TDU57PG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 17A 684mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 2.5mA 187nC @ 10V 5155pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTM50DHM35G

    APTM50DHM35G

    MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6

    Microsemi Corporation

    4,207
    RFQ
    APTM50DHM35G

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 500V 99A 39mOhm @ 49.5A, 10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V 14000pF @ 25V 781W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTML1002U60R020T3AG

    APTML1002U60R020T3AG

    MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3

    Microsemi Corporation

    3,548
    RFQ

    -

    - SP3 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 1000V (1kV) 20A 720mOhm @ 10A, 10V 4V @ 2.5mA - 6000pF @ 25V 520W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50TDUM65PG

    APTM50TDUM65PG

    MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

    Microsemi Corporation

    2,237
    RFQ
    APTM50TDUM65PG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 500V 51A 78mOhm @ 25.5A, 10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V 7000pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTM20DUM05TG

    APTM20DUM05TG

    MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

    Microsemi Corporation

    3,791
    RFQ
    APTM20DUM05TG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 333A 5mOhm @ 166.5A, 10V 4V @ 8mA 1184nC @ 10V 40800pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM20AM05FTG

    APTM20AM05FTG

    MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

    Microsemi Corporation

    2,070
    RFQ
    APTM20AM05FTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 200V 333A 5mOhm @ 166.5A, 10V 4V @ 8mA 1184nC @ 10V 40800pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM100A23SCTG

    APTM100A23SCTG

    MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

    Microsemi Corporation

    2,192
    RFQ
    APTM100A23SCTG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1000V (1kV) 36A 270mOhm @ 18A, 10V 5V @ 5mA 308nC @ 10V 8700pF @ 25V 694W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM100A12STG

    APTM100A12STG

    MOSFET 2N-CH 1000V 68A SP3

    Microsemi Corporation

    4,457
    RFQ
    APTM100A12STG

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1000V (1kV) 68A 120mOhm @ 34A, 10V 5V @ 10mA 616nC @ 10V 17400pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM50AM19STG

    APTM50AM19STG

    MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4

    Microsemi Corporation

    4,316
    RFQ
    APTM50AM19STG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Discontinued at Digi-Key Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 500V 170A 19mOhm @ 85A, 10V 5V @ 10mA 492nC @ 10V 22400pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
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