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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    APTML202UM18R010T3AG

    APTML202UM18R010T3AG

    MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3

    Microsemi Corporation

    4,411
    RFQ

    -

    - SP3 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 109A (Tc) 19mOhm @ 50A, 10V 4V @ 2.5mA - 9880pF @ 25V 480W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTML102UM09R004T3AG

    APTML102UM09R004T3AG

    MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3

    Microsemi Corporation

    4,482
    RFQ

    -

    - SP3 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 154A (Tc) 10mOhm @ 69.5A, 10V 4V @ 2.5mA - 9875pF @ 25V 480W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    2N7334

    2N7334

    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

    Microsemi Corporation

    3,778
    RFQ
    2N7334

    Tabla de datos

    - 14-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - 100V 1A 700mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MO-036AB
    APTM50AM70FT1G

    APTM50AM70FT1G

    MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1

    Microsemi Corporation

    2,614
    RFQ
    APTM50AM70FT1G

    Tabla de datos

    - SP1 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 500V 50A 84mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340nC @ 10V 10800pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTM120A80FT1G

    APTM120A80FT1G

    MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

    Microsemi Corporation

    3,327
    RFQ
    APTM120A80FT1G

    Tabla de datos

    - SP1 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 14A 960mOhm @ 12A, 10V 5V @ 2.5mA 260nC @ 10V 6696pF @ 25V 357W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTC60DDAM70CT1G

    APTC60DDAM70CT1G

    MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

    Microsemi Corporation

    4,000
    RFQ

    -

    CoolMOS™ SP1 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 600V 39A 70mOhm @ 39A, 10V 3.9V @ 2.7mA 259nC @ 10V 7000pF @ 25V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTC90H12T2G

    APTC90H12T2G

    MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

    Microsemi Corporation

    2,523
    RFQ
    APTC90H12T2G

    Tabla de datos

    CoolMOS™ SP2 Tray Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 900V 30A 120mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 3mA 270nC @ 10V 6800pF @ 100V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP2
    APTMC120HR11CT3G

    APTMC120HR11CT3G

    MOSFET 2N-CH 1200V 26A SP3

    Microsemi Corporation

    2,321
    RFQ
    APTMC120HR11CT3G

    Tabla de datos

    - SP3 Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 98mOhm @ 20A, 20V 3V @ 5mA 62nC @ 20V 950pF @ 1000V 125W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTM10DUM05TG

    APTM10DUM05TG

    MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

    Microsemi Corporation

    4,755
    RFQ
    APTM10DUM05TG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 278A 5mOhm @ 125A, 10V 4V @ 5mA 700nC @ 10V 20000pF @ 25V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTM20DUM10TG

    APTM20DUM10TG

    MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

    Microsemi Corporation

    2,595
    RFQ
    APTM20DUM10TG

    Tabla de datos

    - SP4 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 175A 12mOhm @ 87.5A, 10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V 13700pF @ 25V 694W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
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