Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMS7608S

    FDMS7608S

    MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56

    Fairchild Semiconductor

    1,290
    RFQ
    FDMS7608S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 12A, 15A 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V 1510pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    FDMS9620S

    FDMS9620S

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

    Fairchild Semiconductor

    234,000
    RFQ
    FDMS9620S

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FQS4900TF

    FQS4900TF

    MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    34,750
    RFQ
    FQS4900TF

    Tabla de datos

    QFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V, 300V 1.3A, 300mA 550mOhm @ 650mA, 10V 1.95V @ 20mA 2.1nC @ 5V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDSS2407

    FDSS2407

    MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    433,537
    RFQ
    FDSS2407

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    FDSS2407_SB82086

    FDSS2407_SB82086

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    1,669
    RFQ
    FDSS2407_SB82086

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMS3669S

    FDMS3669S

    MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    1,778
    RFQ
    FDMS3669S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA 24nC @ 10V, 34nC @ 10V 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMS3668S

    FDMS3668S

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    243,995
    RFQ
    FDMS3668S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A, 18A 8mOhm @ 13A, 10V 2.7V @ 250µA 29nC @ 10V 1765pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMD8900

    FDMD8900

    MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER

    Fairchild Semiconductor

    15,000
    RFQ
    FDMD8900

    Tabla de datos

    - 12-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 19A, 17A 4mOhm @ 19A, 10V 2.5V @ 250µA 35nC @ 10V 2605pF @ 15V 2.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-Power3.3x5
    FDMS3602AS

    FDMS3602AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    9,000
    RFQ
    FDMS3602AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 26A 5.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMS3600AS

    FDMS3600AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    9,385
    RFQ
    FDMS3600AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 30A 5.6mOhm @ 15A, 10V 2.7V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    Total 159 Record«Prev1... 111213141516Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios