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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    CSD85301Q2T

    CSD85301Q2T

    MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

    Texas Instruments

    1,024
    RFQ
    CSD85301Q2T

    Tabla de datos

    NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 5V Drive 20V 5A 27mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSON (2x2)
    CSD87333Q3DT

    CSD87333Q3DT

    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON

    Texas Instruments

    284
    RFQ
    CSD87333Q3DT

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 5V Drive 30V 15A 14.3mOhm @ 4A, 8V 1.2V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V 662pF @ 15V 6W 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD86336Q3DT

    CSD86336Q3DT

    MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON

    Texas Instruments

    1
    RFQ
    CSD86336Q3DT

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate, 5V Drive 25V 20A (Ta) 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V 6W -55°C ~ 125°C - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    TPS2013APWR

    TPS2013APWR

    MOSFET

    Texas Instruments

    630
    RFQ
    TPS2013APWR

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CSD86356Q5DT

    CSD86356Q5DT

    MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP

    Texas Instruments

    4,477
    RFQ
    CSD86356Q5DT

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate, 5V Drive 25V 40A (Ta) 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 12W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    CSD75205W1015

    CSD75205W1015

    MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA

    Texas Instruments

    4,552
    RFQ
    CSD75205W1015

    Tabla de datos

    NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.2A 120mOhm @ 1A, 4.5V 850mV @ 250µA 2.2nC @ 4.5V 265pF @ 10V 750mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
    CSD87334Q3D

    CSD87334Q3D

    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8VSON

    Texas Instruments

    4,187
    RFQ
    CSD87334Q3D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 20A 6mOhm @ 12A, 8V 1.2V @ 250µA 8.3nC @ 4.5V 1260pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD87313DMS

    CSD87313DMS

    MOSFET 2N-CH 30V 8WSON

    Texas Instruments

    2,786
    RFQ
    CSD87313DMS

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 30V - - 1.25V @ 250µA 28nC @ 4.5V 4290pF @ 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
    CSD86356Q5D

    CSD86356Q5D

    MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP

    Texas Instruments

    4,011
    RFQ
    CSD86356Q5D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate, 5V Drive 25V 40A (Ta) 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V 12W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
    CSD75211W1723

    CSD75211W1723

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

    Texas Instruments

    3,040
    RFQ
    CSD75211W1723

    Tabla de datos

    NexFET™ 12-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 40mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 5.9nC @ 4.5V 600pF @ 10V 1.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-DSBGA
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