Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    CSD85301Q2

    CSD85301Q2

    MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

    Texas Instruments

    11,255
    RFQ
    CSD85301Q2

    Tabla de datos

    NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 5V Drive 20V 5A 27mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSON (2x2)
    CSD75207W15

    CSD75207W15

    MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

    Texas Instruments

    4,266
    RFQ
    CSD75207W15

    Tabla de datos

    NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Common Source Logic Level Gate - 3.9A 162mOhm @ 1A, 1.8V 1.1V @ 250µA 3.7nC @ 4.5V 595pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-DSBGA
    CSD87331Q3D

    CSD87331Q3D

    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON

    Texas Instruments

    5,125
    RFQ
    CSD87331Q3D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 15A - 2.1V, 1.2V @ 250µA 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    CSD87588N

    CSD87588N

    MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

    Texas Instruments

    9,028
    RFQ
    CSD87588N

    Tabla de datos

    NexFET™ 5-XFLGA Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 25A 9.6mOhm @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V 736pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
    CSD87503Q3E

    CSD87503Q3E

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON

    Texas Instruments

    2,135
    RFQ
    CSD87503Q3E

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 30V 10A (Ta) 13.5mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 17.4nC @ 4.5V 1020pF @ 15V 15.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD88539ND

    CSD88539ND

    MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

    Texas Instruments

    3,994
    RFQ
    CSD88539ND

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 15A 28mOhm @ 5A, 10V 3.6V @ 250µA 9.4nC @ 10V 741pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    CSD87330Q3D

    CSD87330Q3D

    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

    Texas Instruments

    28,092
    RFQ
    CSD87330Q3D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 20A - 2.1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 900pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

    MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

    Texas Instruments

    6,963
    RFQ
    CSD85312Q3E

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source Logic Level Gate, 5V Drive 20V 39A 12.4mOhm @ 10A, 8V 1.4V @ 250µA 15.2nC @ 4.5V 2390pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD86360Q5D

    CSD86360Q5D

    MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON

    Texas Instruments

    7,270
    RFQ
    CSD86360Q5D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 25V 50A - 2.1V @ 250µA 12.6nC @ 4.5V 2060pF @ 12.5 13W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    CSD87350Q5D

    CSD87350Q5D

    MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

    Texas Instruments

    12,550
    RFQ
    CSD87350Q5D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 40A 5.9mOhm @ 20A, 8V 2.1V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V 1770pF @ 15V 12W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    Total 71 Record«Prev12345...8Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios