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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MCH6631-TL-E

    MCH6631-TL-E

    MOSFET N/P-CH

    onsemi

    6,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2817-TL-H

    SCH2817-TL-H

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    680,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6626-TL-E

    MCH6626-TL-E

    MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A 6MCPH

    onsemi

    48,750
    RFQ

    -

    - 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 1.6A, 1A 230mOhm @ 800mA, 4V - 1.4nC @ 4V 105pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    MCH6626-TL-H

    MCH6626-TL-H

    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    39,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW261-TL-E

    FW261-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    23,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    6LP04CH-TL-E

    6LP04CH-TL-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    18,000
    RFQ
    6LP04CH-TL-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC3C001NUZTCG

    EFC3C001NUZTCG

    MOSFET 2N-CH 4WLCSP

    onsemi

    0
    RFQ
    EFC3C001NUZTCG

    Tabla de datos

    - 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - 1.3V @ 1mA 15nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1.26x1.26)
    EFC4627R-A-TR

    EFC4627R-A-TR

    MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

    onsemi

    7,399
    RFQ

    -

    * 4-XFBGA Bulk Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount -
    ECH8601M-C-TL-H

    ECH8601M-C-TL-H

    MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 8A 23mOhm @ 4A, 4.5V - 7.5nC @ 4.5V - 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    MCH6604-TL-E

    MCH6604-TL-E

    MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH

    onsemi

    0
    RFQ
    MCH6604-TL-E

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 50V 250mA 7.8Ohm @ 50mA, 4V - 1.57nC @ 10V 6.6pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
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