Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MCH6631-TL-E

    MCH6631-TL-E

    MOSFET N/P-CH

    onsemi

    6,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2817-TL-H

    SCH2817-TL-H

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    680,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6626-TL-E

    MCH6626-TL-E

    MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A 6MCPH

    onsemi

    48,750
    RFQ

    -

    - 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 1.6A, 1A 230mOhm @ 800mA, 4V - 1.4nC @ 4V 105pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    MCH6626-TL-H

    MCH6626-TL-H

    PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    39,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW261-TL-E

    FW261-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    23,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    6LP04CH-TL-E

    6LP04CH-TL-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    18,000
    RFQ
    6LP04CH-TL-E

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC3C001NUZTCG

    EFC3C001NUZTCG

    MOSFET 2N-CH 4WLCSP

    onsemi

    4,310
    RFQ
    EFC3C001NUZTCG

    Tabla de datos

    - 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - 1.3V @ 1mA 15nC @ 4.5V - 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1.26x1.26)
    EFC4627R-A-TR

    EFC4627R-A-TR

    MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

    onsemi

    7,399
    RFQ

    -

    * 4-XFBGA Bulk Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount -
    ECH8601M-C-TL-H

    ECH8601M-C-TL-H

    MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

    onsemi

    4,574
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 8A 23mOhm @ 4A, 4.5V - 7.5nC @ 4.5V - 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    MCH6604-TL-E

    MCH6604-TL-E

    MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH

    onsemi

    4,939
    RFQ
    MCH6604-TL-E

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 50V 250mA 7.8Ohm @ 50mA, 4V - 1.57nC @ 10V 6.6pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    Total 962 Record«Prev1... 2425262728293031...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios