Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NTTFD018N08LC

    NTTFD018N08LC

    MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN

    onsemi

    2,945
    RFQ
    NTTFD018N08LC

    Tabla de datos

    - 12-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 80V 6A (Ta), 26A (Tc) 18mOhm @ 7.8A, 10V 2.5V @ 44µA 12.4nC @ 10V 856pF @ 40V 1.7W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
    NTTFD021N08C

    NTTFD021N08C

    MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN

    onsemi

    2,611
    RFQ
    NTTFD021N08C

    Tabla de datos

    - 12-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 80V 6A (Ta), 24A (Tc) 21mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 44µA 8.4nC @ 10V 572pF @ 40V 1.7W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
    NTTFD022N10C

    NTTFD022N10C

    MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN

    onsemi

    2,980
    RFQ
    NTTFD022N10C

    Tabla de datos

    - 12-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 6A (Ta), 24A (Tc) 25mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 44µA 9nC @ 10V 585pF @ 50V 1.7W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
    NVMFD5C446NWFT1G

    NVMFD5C446NWFT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN

    onsemi

    2,965
    RFQ
    NVMFD5C446NWFT1G

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 24A (Ta), 127A (Tc) 2.9mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 38nC @ 10V 2450pF @ 25V 3.2W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NXV08A170DB2

    NXV08A170DB2

    MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA

    onsemi

    238
    RFQ
    NXV08A170DB2

    Tabla de datos

    - 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 200A (Tj) 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 195nC @ 10V 14000pF @ 40V - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Through Hole APM12-CBA
    NVXK2TR40WXT

    NVXK2TR40WXT

    MOSFET 4N-CH 1200V 27A APM32

    onsemi

    60
    RFQ
    NVXK2TR40WXT

    Tabla de datos

    - 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 27A (Tc) 59mOhm @ 35A, 20V 4.3V @ 10mA 106nC @ 20V 1789pF @ 800V 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NXH030F120M3F1PTG

    NXH030F120M3F1PTG

    MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM

    onsemi

    26
    RFQ
    NXH030F120M3F1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active SiCFET (Silicon Carbide) 4 N-Channel (Full Bridge) Depletion Mode 1200V (1.2kV) 38A (Tc) 38.5mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 110nC @ 18V 2246pF @ 800V 100W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    NXH010P120M3F1PG

    NXH010P120M3F1PG

    MOSFET 2N-CH 1200V 105A

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH010P120M3F1PG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 105A (Tc) 14.5mOhm @ 90A, 18V 4.4V @ 45mA 314nC @ 18V 6451pF @ 800V 272W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P120M3F1PTG

    NXH010P120M3F1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 105A

    onsemi

    27
    RFQ
    NXH010P120M3F1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 105A (Tc) 14.5mOhm @ 90A, 18V 4.4V @ 45mA 314nC @ 18V 6451pF @ 800V 272W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH030P120M3F1PTG

    NXH030P120M3F1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 42A

    onsemi

    28
    RFQ
    NXH030P120M3F1PTG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 42A (Tc) 38.5mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 110nC @ 18V 2271pF @ 800V 100W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Total 962 Record«Prev1... 2021222324252627...97Next»
    Correo electrónico
    Lo que contiene
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios