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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDPC1012S

    FDPC1012S

    MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

    Fairchild Semiconductor

    6,672
    RFQ
    FDPC1012S

    Tabla de datos

    - 8-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 25V 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V 800mW (Ta), 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Powerclip-33
    VT6K1T2CR

    VT6K1T2CR

    MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

    Rohm Semiconductor

    5,044
    RFQ
    VT6K1T2CR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.2V Drive 20V 100mA 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 100µA - 7.1pF @ 10V 120mW 150°C (TJ) - - Surface Mount VMT6
    HUFA76504DK8T

    HUFA76504DK8T

    MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    3,488
    RFQ
    HUFA76504DK8T

    Tabla de datos

    UltraFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V - 200mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 270pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA2350BT1G-E4-A

    UPA2350BT1G-E4-A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    520,000
    RFQ
    UPA2350BT1G-E4-A

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NDH8302P

    NDH8302P

    MOSFET 2P-CH 20V 2A SUPERSOT-8

    Fairchild Semiconductor

    36,000
    RFQ
    NDH8302P

    Tabla de datos

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 2A (Ta) 130mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 4.5V 515pF @ 10V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    VN2410M

    VN2410M

    MOSFET N-CH

    Siliconix

    22,750
    RFQ
    VN2410M

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC6432SH

    FDC6432SH

    MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6

    Fairchild Semiconductor

    18,000
    RFQ
    FDC6432SH

    Tabla de datos

    PowerTrench®, SyncFET™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 12V 2.4A, 2.5A 90mOhm @ 2.4A, 10V 3V @ 1mA 3.5nC @ 5V 270pF @ 15V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    SSF2215

    SSF2215

    MOSFET 2P-CH 20V 3A SOT23-6L

    Good-Ark Semiconductor

    5,526
    RFQ
    SSF2215

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 20V 3A (Ta) 85mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 8nC @ 4.5V 510pF @ 15V 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    CPH5616-TL-E

    CPH5616-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    2,978
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD20N03SM9AR4761

    RFD20N03SM9AR4761

    MOSFET N-CH 30V 20A

    Harris Corporation

    2,500
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMS3602AS

    FDMS3602AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

    onsemi

    4,299
    RFQ
    FDMS3602AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 26A 5.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    G300N04S2

    G300N04S2

    MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP

    Goford Semiconductor

    4,000
    RFQ
    G300N04S2

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 5.5A (Tc) 30mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 10nC @ 10V 522pF @ 20V 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    PJX8872B_R1_00001

    PJX8872B_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563

    Panjit International Inc.

    2,950
    RFQ
    PJX8872B_R1_00001

    Tabla de datos

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 200mA (Ta) 3Ohm @ 600mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82nC @ 4.5V 34pF @ 25V 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    UPA2352T1P-E4-A

    UPA2352T1P-E4-A

    MOSFET 2N-CH 24V 4A LGA

    Renesas Electronics Corporation

    310,000
    RFQ
    UPA2352T1P-E4-A

    Tabla de datos

    - 4-XFLGA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 4A (Ta) 43mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.7nC @ 4V 330pF @ 10V 750mW (Ta) 150°C - - Surface Mount 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)
    FDW2509NZ

    FDW2509NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    100,000
    RFQ
    FDW2509NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 7.1A (Ta) 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 19nC @ 4.5V 1263pF @ 10V 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF810

    IRF810

    MOSFET N-CH 500V 8A

    Harris Corporation

    93,400
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLGD3502NT1G

    NTLGD3502NT1G

    MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

    onsemi

    4,186
    RFQ
    NTLGD3502NT1G

    Tabla de datos

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V 1.74W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    MTD3N25E1

    MTD3N25E1

    MOSFET N-CH 250V 3A

    onsemi

    13,650
    RFQ
    MTD3N25E1

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMA1028NZ

    FDMA1028NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    10,778
    RFQ
    FDMA1028NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.7A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDMS8025AS

    FDMS8025AS

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    9,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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