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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    PBHV8540T - ideal para interruptores de alta eficiencia con circuitos amplificados

    PBHV8540T,215
    Número de pieza.:
    PBHV8540T,215
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Paquete:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Descripción:
    TRANS NPN 400V 0.5A TO-236AB
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    Detalles del artículo

    • Detalles
    • Especificaciones
    • Comparación

    Introduction

    PBHV8540T es un transistor de alta tensión y baja saturación tipo NPN encapsulado como sot-23. Alta tensión y baja caída de presión de saturación, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general. La tensión colector-transmisor es de hasta 400V y la corriente colector de hasta 0,5 A. Su función de control de amplificación o conmutación es muy adecuada para circuitos de control de alto voltaje como balastos electrónicos, controladores LED y gestión de corriente.
    Este artículo expandirá una explicación detallada de las características de PBHV8540T, ejemplos de aplicación, principios de funcionamiento, precauciones de diseño, etc.

    Features

    • Alto voltaje
    • Baja tensión de saturación colectoremisor VCEsat
    • Alta capacidad de corriente del colector IC e ICM
    • Con alta ganancia de corriente de colector (hFE) a altas corrientes de colector
    • Pequeño paquete de plástico SMD

    Applications

    1. Balastos electrónicos para lámparas fluorescentes
    2. Controlador de módulo de cadena LED
    3. LCD con retroiluminación
    4. Faros de descarga de alta intensidad (HID)
    5. Gestión de motores automotrices
    6. Cable telecomunicación hook switch
    7. Interruptor modo poder

    Pin Definitions and Packages

    Tamaño aproximado del paquete: 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm, especificación SOT23.
    Código de marcado: "w4%" (donde "%" es el código de fábrica)

    Pinning information

    Working principle

    El PBHV8540T es un transistor de alta tensión y baja saturación del tipo NPN, clasificado como un transistor bipolar. Su función es amplificar la corriente de base minúscula a la corriente de colector más grande para realizar la amplificación o cambiar la función de control.

    1. Mecanismo de conducción

    Tres regiones semiconductoras:
    • Emisor (E) : para la emisión de electrones.
    • Base (B) : para controlar la corriente.
    • Colector (C) : para recoger electrones.
    Cuando PBHV8540T funciona en diferentes modos, la relación de polarización del nudo es la siguiente:
    Bias relationship



    2. Principio de funcionamiento del interruptor

    En las aplicaciones de conmutación, PBHV8540T se conmuta principalmente en dos estados: corte y saturación:
    Estado de corte (apagado) :
    • Ausencia de corriente en la base (I<sub>B</sub>≈0);
    • Lanzamiento de nudos invertidos;
    • Corriente del colector I<sub>C</sub>≈0;
    • El transistor es equivalente a un "interruptor desconectado".
    Estado de conducción (ON) :
    • Inyección de corriente positiva en la base;
    • B-E conducción de unión, donde los electrones fluyen desde el emisor hasta la base y son atraídos por el campo eléctrico del colector;
    • Forma una corriente de colector más grande (I<sub>C</sub> ≈ β × I<sub>B</sub>);
    • En este punto, la caída de voltaje colector-emisor es pequeña (valor típico < 0,2 V) y el transistor es equivalente a un "interruptor cerrado".

    3. Principio de amplificación

    En aplicaciones de amplificación, PBHV8540T está en la zona de fuente:
    • Desviación positiva de la unión b-e; B-c knot contra sesgo;
    • Pequeñas variaciones en la corriente de base pueden causar variaciones en la corriente del colector de varias a cientos de veces: Ic = β x IB.
    • La ganancia típica de corriente continua h<sub>FE</sub> está entre 100 y 200.
    • Debido a su alta resistencia a la tensión (V<sub>CEO</sub> = 400 V), se puede utilizar para conducir cargas de alta tensión o en convertidores flyback.


    4. Significado de la baja presión de saturación

    La baja descompresión de saturación es una gran ventaja de PBHV8540T. La descompresión entre el colector y el emisor durante la conducción de cristal es mínima; Baja pérdida de conducción y calor; Alta eficiencia en situaciones de alta tensión y baja corriente. Estos se benefician del diseño de gradiente de dopaje de zona de captación característico de Nexperia; Espesor optimizado de la zona base para reducir la resistencia de unión; Mayor movilidad de los portadores.

    5. Circuito de aplicación típico

    • LED o clase de conductor fluorescente:
      • Control de corriente constante o de pulso;
      • Ajuste de brillo en colaboración con el chip de control PWM.
    • Conmutación de potencia o conmutación auxiliar de convertidor flyback:
      • Control de señales laterales de alta tensión;
      • Para arrancar o proteger el circuito.
    • Amplificación de señal y detección de voltaje:
      • Proporciona la función de amplificación de señal en el módulo de monitoreo de alto voltaje.


    Design Considerations

    1. Voltaje de funcionamiento y diseño de polarización de unión

    • Asegurar el margen de voltaje
    • Control de polarización de base
    • Protección de voltaje inverso

    2. Consumo de energía y diseño térmico

    • Cálculo de pérdidas de potencia
    • Diseño de calor

    3.switch y características de frecuencia

    • Control de tiempo de subida/caída
    • Protección contra oscilaciones parasitarias

    4. Sugerencia de disposición de PCB

    • Espaciamiento de alta tensión
    • Tierra y loop actual

    Conclusion

    En general, PBHV8540T es un transistor NPN con capacidad de resistencia de alto voltaje, baja pérdida de saturación y paquete compacto. El diseño se centra en la corriente de conducción, la gestión térmica y la seguridad del aislamiento de alto voltaje. Es muy adecuado para controladores LED, interruptores de alimentación y circuitos de control de alto voltaje. Si necesita ayuda, contáctenos.

    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Embalaje:
    Tape & Reel (TR)
    Estado del producto:
    Active
    Resistencia:
    NPN
    Tolerancia:
    500 mA
    Potencia (vatios):
    400 V
    Composición:
    250mV @ 60mA, 300mA
    Características:
    100nA
    Coeficiente de temperatura:
    10 @ 300mA, 10V
    Temperatura de funcionamiento:
    300 mW
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    30MHz
    Clasificaciones:
    150°C (TJ)
    Tamaño/Dimensión:
    -
    Altura - Asentado (Máx.):
    -
    Número de terminaciones:
    Surface Mount
    Tasa de fallos:
    TO-236AB
    Imagen
    Número de pieza
    Fabricante
    Serie
    Paquete/Caja
    Embalaje
    Estado del producto
    Tipo de transistor
    Corriente de colector (Ic) (máx.)
    Voltaje - Colector-emisor Ruptura (máx.)
    Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic
    Corriente de corte de colector (máx.)
    Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
    Potencia: máx.
    Frecuencia de transición
    Temperatura de funcionamiento
    Grado
    Calificación
    Tipo de montaje
    Proveedor Dispositivo Paquete

    Inventario:2,796

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    MMBT3906LT1G
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    onsemi

    MMBT3904-7-F
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    Diodes Incorporated

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