Introduction
Mt29f2g01abagdwb-it :G es una memoria Flash NAND de 2Gbit que soporta una interfaz de forma SPI. El paquete u-pdfn de 8-pin con bajo número de pones es adecuado para sistemas embebidos o industriales con espacio limitado. Ideal para aplicaciones en sistemas embebidos, equipos industriales, escenarios que requieran una alta fiabilidad y durabilidad de almacenamiento.
Datasheet keys
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Densidad de almacenamiento: 2 Gbit (2 G × 1)
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Tipo de interfaz: SPI (estándar/SPI extendido)
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Frecuencia de reloj (Max) : ≈ 133 MHz
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Rango de voltaje (VCC) : 2.7v-3.6v
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Paquete: 8-pin u-pdfn
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Rango de temperatura: -40 °C ~ +85 °C (grado industrial)
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Durabilidad: 100.000 programas/ciclos de borrado (típico)
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Período de retención de datos (sin frotar) : 10 años (a 85 °C)
Features
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Single-level cell (SLC) technology
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2Gb density
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Organization
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Page size x1: 2176 bytes (2048 + 128 bytes)
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Block size: 64 pages (128K + 8K bytes)
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Plane size: 2Gb (2 planes, 1024 blocks per plane)
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Standard and extended SPI-compatible serial businterface
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Instruction, address on 1 pin; data out on 1, 2, or4 pins
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Instruction on 1 pin; address, data out on 2 or 4pins
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Instruction, address on 1 pin; data in on 1 or 4pins
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User-selectable internal ECC supported– 8 bits/sector
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Array performance
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133 MHz clock frequency (MAX)
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Page read: 25µs (MAX) with on-die ECC disabled;70µs (MAX) with on-die ECC enabled
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Page program: 200µs (TYP) with on-die ECC disabled; 220µs (TYP) with on-die ECC enabled
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Block erase: 2ms (TYP)
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Advanced features
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Read page cache mode
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Read unique ID
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Read parameter page
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Device initialization
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Automatic device initialization after power-up
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Security
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Blocks 7:0 are valid when shipped from factorywith ECC enabled
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Software write protection with lock register
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Hardware write protection to freeze BP bits
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Lock tight to freeze BP bits during one power cycle
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Permanent block lock protection
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OTP Space: 10 pages one-time programmableNAND Flash memory area
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Operating voltage range
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Operating temperature
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Industrial: –40°C to +85°C
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Quality and reliability
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Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
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Data retention: JESD47H-compliant; see qualification report
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Additional: Uncycled data retention: 10 years24/7 @85°C
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Package
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16-pin SOP, 300 mils (package code: SF)
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8-pin U-PDFN, 8mm x 6mm x 0.65mm (MLP8)(package code: WB)
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24-ball T-PBGA, 05/6mm x 8mm (5 x 5 array)(package code: 12)
Encapsulado, pin
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Paquete: u-pdfn-8 (6 × 8 mm) montaje en superficie
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Atención a la protección ESD, sensibilidad a la humedad pesada (MSL)
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El cableado presta atención a la integridad de la señal, así como a la disposición del plano de potencia/tierra.
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La parte inferior del paquete necesita una almohadilla de disipación de calor o tierra para garantizar que la gestión térmica y la tierra estén completas.
Principio de trabajo
1. Estructura de matriz de almacenamiento
El interior del chip consiste en la estructura estándar NAND Flash:
Página (página) = 2048B datos + 128B OOB
Bloque (bloque) = 64 páginas
Plane = 1024 Blocks
Chip completo 2Gb = 2 Planes
2. Acceso a datos SPI
Mt29f2g01abagdwb-it :G utiliza el modo de acceso estándar SPI/Dual SPI/Quad SPI.
Lea el flujo:
Page → Data Register
Registro de datos → salida SPI
El proceso de escritura:
Escribir datos en el registro de datos interno (SPI)
Ejecución del programa: escribe los datos del registro a la página
Proceso de borrado:
Emite una instrucción de borrado de bloque
Flash restaura todos los bits a "1" en todo el bloque
3. Construido en ECC
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Fix bit error generado por el envejecimiento del almacenamiento
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Mayor fiabilidad de datos
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Vida del sistema de elevación
4. Seguridad y protección
1) protección de escritura
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Registro de bloqueo de software
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Hardware WP# pin puede congelar el bit BP
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Bloqueo apretado: "completamente bloqueado" en un ciclo de encendido
2) OTP (zona programable desechable)
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10 páginas fijadas
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El programa no se puede modificar después de escribir
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Ideal para escribir números de serie, códigos de control, etc.
5. Poder en la inicialización
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Ejecutar la secuencia de inicialización interna
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Leer la página de parámetros
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ECC tabla de carga pesada
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Entrar en standby accesible
Notas de diseño
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Para MCU/ sistemas embebidos, debe confirmar que el MCU/ controlador soporta el conjunto de comandos de este SPI NAND.
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NAND tiene requisitos de gestión a nivel de bloques, por lo que el software debe tener gestión de bloques defectuosos, monitoreo de la vida útil, mecanismo de bloqueo de bloques.
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Para los requisitos de alta fiabilidad (por ejemplo, industria, regulación de vehículos), se recomienda considerar la degradación acelerada de la temperatura, la capacidad de retención de datos y los informes de certificación de fiabilidad del fabricante.
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La necesidad de la compra de confirmar si el sufijo completo del número de pieza (tal como "IT:G") corresponde a la función, versión, paquete es consistente con el diseño.
Conclusion
Mt29f2g01abagdwb-it :G lectura, escritura y borrado en una matriz NAND con estructura de página/bloque a través de la interfaz SPI y garantiza un almacenamiento de datos de alta fiabilidad a través de ECC y mecanismos de protección integrados, Ideal para sistemas embebidos, equipos industriales, escenarios de almacenamiento que requieren alta confiabilidad/alta durabilidad (SLC sobre MLC/QLC).