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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    MT29F2G01ABAGDWB-IT:G--2Gb SLC SPI NAND Flash

    MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
    Número de pieza.:
    MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
    Fabricante:
    Micron Technology Inc.
    Paquete:
    8-UDFN
    Descripción:
    IC FLASH 2GBIT SPI 8UPDFN
    Quantity:
    Pago:
    Payment
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    Detalles del artículo

    • Detalles
    • Especificaciones
    • Comparación

    Introduction

    Mt29f2g01abagdwb-it :G es una memoria Flash NAND de 2Gbit que soporta una interfaz de forma SPI. El paquete u-pdfn de 8-pin con bajo número de pones es adecuado para sistemas embebidos o industriales con espacio limitado. Ideal para aplicaciones en sistemas embebidos, equipos industriales, escenarios que requieran una alta fiabilidad y durabilidad de almacenamiento.

    Functional Block Diagram

    Datasheet keys

    • Densidad de almacenamiento: 2 Gbit (2 G × 1)
    • Tipo de interfaz: SPI (estándar/SPI extendido)
    • Frecuencia de reloj (Max) : ≈ 133 MHz
    • Rango de voltaje (VCC) : 2.7v-3.6v
    • Paquete: 8-pin u-pdfn
    • Rango de temperatura: -40 °C ~ +85 °C (grado industrial)
    • Durabilidad: 100.000 programas/ciclos de borrado (típico)
    • Período de retención de datos (sin frotar) : 10 años (a 85 °C)

    Features

    • Single-level cell (SLC) technology
    • 2Gb density
    • Organization
      •  Page size x1: 2176 bytes (2048 + 128 bytes)
      • Block size: 64 pages (128K + 8K bytes)
      • Plane size: 2Gb (2 planes, 1024 blocks per plane)
    • Standard and extended SPI-compatible serial businterface
      • Instruction, address on 1 pin; data out on 1, 2, or4 pins
      • Instruction on 1 pin; address, data out on 2 or 4pins
      • Instruction, address on 1 pin; data in on 1 or 4pins
    • User-selectable internal ECC supported– 8 bits/sector
    • Array performance
      • 133 MHz clock frequency (MAX)
      • Page read: 25µs (MAX) with on-die ECC disabled;70µs (MAX) with on-die ECC enabled
      • Page program: 200µs (TYP) with on-die ECC disabled; 220µs (TYP) with on-die ECC enabled
      • Block erase: 2ms (TYP)
    • Advanced features
      • Read page cache mode
      • Read unique ID
      • Read parameter page
    • Device initialization
      • Automatic device initialization after power-up
    • Security
      • Blocks 7:0 are valid when shipped from factorywith ECC enabled
      • Software write protection with lock register
      • Hardware write protection to freeze BP bits
      • Lock tight to freeze BP bits during one power cycle
    • Permanent block lock protection
      • OTP Space: 10 pages one-time programmableNAND Flash memory area
    • Operating voltage range
      • VCC = 2.7–3.6V
    • Operating temperature
      • Industrial: –40°C to +85°C
    • Quality and reliability
      • Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
      • Data retention: JESD47H-compliant; see qualification report
      • Additional: Uncycled data retention: 10 years24/7 @85°C
    • Package
      • 16-pin SOP, 300 mils (package code: SF)
      • 8-pin U-PDFN, 8mm x 6mm x 0.65mm (MLP8)(package code: WB)
      • 24-ball T-PBGA, 05/6mm x 8mm (5 x 5 array)(package code: 12)

    Encapsulado, pin

    • Paquete: u-pdfn-8 (6 × 8 mm) montaje en superficie
    • Atención a la protección ESD, sensibilidad a la humedad pesada (MSL)
    • El cableado presta atención a la integridad de la señal, así como a la disposición del plano de potencia/tierra.
    • La parte inferior del paquete necesita una almohadilla de disipación de calor o tierra para garantizar que la gestión térmica y la tierra estén completas.
    8-PinTop View

    Principio de trabajo

    1. Estructura de matriz de almacenamiento

    El interior del chip consiste en la estructura estándar NAND Flash:

    Página (página) = 2048B datos + 128B OOB

    Bloque (bloque) = 64 páginas

    Plane = 1024 Blocks

    Chip completo 2Gb = 2 Planes

    2. Acceso a datos SPI

    Mt29f2g01abagdwb-it :G utiliza el modo de acceso estándar SPI/Dual SPI/Quad SPI.
    Lea el flujo:

    Page → Data Register

    Registro de datos → salida SPI

    El proceso de escritura:

    Escribir datos en el registro de datos interno (SPI)

    Ejecución del programa: escribe los datos del registro a la página

    Proceso de borrado:

    Emite una instrucción de borrado de bloque

    Flash restaura todos los bits a "1" en todo el bloque

    3. Construido en ECC

    • Fix bit error generado por el envejecimiento del almacenamiento
    • Mayor fiabilidad de datos
    • Vida del sistema de elevación

    4. Seguridad y protección

    1) protección de escritura
    • Registro de bloqueo de software
    • Hardware WP# pin puede congelar el bit BP
    • Bloqueo apretado: "completamente bloqueado" en un ciclo de encendido
    2) OTP (zona programable desechable)
    • 10 páginas fijadas
    • El programa no se puede modificar después de escribir
    • Ideal para escribir números de serie, códigos de control, etc.

    5. Poder en la inicialización

    • Ejecutar la secuencia de inicialización interna
    • Leer la página de parámetros
    • ECC tabla de carga pesada
    • Entrar en standby accesible
    working principle

    Notas de diseño

    1. Para MCU/ sistemas embebidos, debe confirmar que el MCU/ controlador soporta el conjunto de comandos de este SPI NAND.
    2. NAND tiene requisitos de gestión a nivel de bloques, por lo que el software debe tener gestión de bloques defectuosos, monitoreo de la vida útil, mecanismo de bloqueo de bloques.
    3. Para los requisitos de alta fiabilidad (por ejemplo, industria, regulación de vehículos), se recomienda considerar la degradación acelerada de la temperatura, la capacidad de retención de datos y los informes de certificación de fiabilidad del fabricante.
    4. La necesidad de la compra de confirmar si el sufijo completo del número de pieza (tal como "IT:G") corresponde a la función, versión, paquete es consistente con el diseño.

    Conclusion

    Mt29f2g01abagdwb-it :G lectura, escritura y borrado en una matriz NAND con estructura de página/bloque a través de la interfaz SPI y garantiza un almacenamiento de datos de alta fiabilidad a través de ECC y mecanismos de protección integrados, Ideal para sistemas embebidos, equipos industriales, escenarios de almacenamiento que requieren alta confiabilidad/alta durabilidad (SLC sobre MLC/QLC).

    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Micron Technology Inc.
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    8-UDFN
    Embalaje:
    Tray
    Estado del producto:
    Active
    Resistencia:
    Verified
    Tolerancia:
    Non-Volatile
    Potencia (vatios):
    FLASH
    Composición:
    FLASH - NAND
    Características:
    2Gbit
    Coeficiente de temperatura:
    2G x 1
    Temperatura de funcionamiento:
    SPI
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    -
    Clasificaciones:
    -
    Tamaño/Dimensión:
    -
    Altura - Asentado (Máx.):
    2.7V ~ 3.6V
    Número de terminaciones:
    -40°C ~ 85°C (TA)
    Tasa de fallos:
    -
    Imagen
    Número de pieza
    Fabricante
    Serie
    Paquete/Caja
    Embalaje
    Estado del producto
    Programable
    Tipo de memoria
    Formato de memoria
    Tecnología
    Tamaño de la memoria
    Organización de la memoria
    Interfaz de memoria
    Frecuencia de reloj
    Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
    Tiempo de acceso
    Voltaje - Suministro
    Temperatura de funcionamiento
    Grado
    Calificación
    Tipo de montaje
    Proveedor Dispositivo Paquete

    Inventario:1,834

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    M24C02-WMN6TP
    M24C02-WMN6TP

    STMicroelectronics

    AT24C02C-XHM-T
    AT24C02C-XHM-T

    Microchip Technology

    AT21CS01-STUM10-T
    AT21CS01-STUM10-T

    Microchip Technology

    AT24C02C-SSHM-T
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    24LC01BT-I/OT
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