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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Funciona | 256Mx16 de 4 gb de memoria SDRAM MT41K256M16 DDR3L

    MT41K256M16TW-107 AAT:P
    Número de pieza.:
    MT41K256M16TW-107 AAT:P
    Fabricante:
    Micron Technology Inc.
    Paquete:
    96-TFBGA
    Descripción:
    IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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    Detalles del artículo

    • Detalles
    • Especificaciones
    • Comparación
    Las arquitecturas de doble velocidad de datos DDR3L SDRAM son a menudo escogidas para estas operaciones de alta velocidad en aplicaciones industriales y embebidos que desean un acceso de almacenamiento fiable y de alta velocidad, pero también necesitan ofrecer bajo consumo de energía y varios modos de ahorro de energía. Mientras que el MT41K256M16 es un típico representante de la DDR3L SDRAM.

    Notas: la arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura 8n prefetch, con interfaces diseñadas para transmitir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de e/s.


    ¿Cómo aplicar MT41K256M16 correctamente?

    Principio de funcionamiento de MT41K256M16

    El MT41K256M16, como DDR3L SDRAM, utiliza una arquitectura de velocidad de datos doble para operar a alta velocidad. Tiene varias características clave:
    • 8 bancos internos, pueden activar, leer y escribir la operación al mismo tiempo;
    • Usando CK/CK# reloj diferencial, la señal DQS/DQS# se utiliza para la alineación de datos, mejorando la integridad de la señal;
    • El acceso de lectura y escritura es una manera repentina;
    • Admite el modo de auto-actualización y el modo de ahorro de energía.
    Tome la operación de una sola lectura como ejemplo:
    1. Seleccionar línea: cuando el controlador emite el comando ACTIVATE, el bit de dirección correspondiente al comando ACTIVATE se utiliza para seleccionar banco y row, listo para acceder a los datos.
    2. Seleccionar columnas: emita los comandos READ o WRITE. Los bits de dirección correspondientes a los comandos READ/WRITE se utilizan para seleccionar las columnas de inicio para el banco y el acceso de ráfaga. DRAM accede a los datos por columna.
    3. Transmisión de datos:
    DDR3L utiliza longitud de ráfaga BL8:8 unidades de datos transmitidos continuamente a la vez
    8n bits de ancho interno y n bits de ancho en puertos de e/s → uso de doble tasa de datos (DDR)
    Los datos se transmiten alineados a lo largo de la señal DQS/DQS#
    • Escritura: señal DQS alineada con el centro de datos
    • Leer: los datos de lectura emitidos por DDR3 SDRAM están alineados con los bordes de la señal DQS
    4. Precarga automática: precarga automática de la línea al final del acceso de ráfaga
    5. Operación multibanco paralela: admite operaciones concurrentes, mejorando así el ancho de banda ocultando el tiempo de precarga y activación de la línea.
    6. Modo de baja potencia:
    • Self refresh: el chip se refresca automáticamente para mantener los datos
    • Modo de ahorro de energía: menor consumo de corriente

    Cómo usar MT41K256M16 en la aplicación

    1. Aplicaciones integradas
    En la placa de control industrial o algún ordenador industrial, dispositivo de computación de borde, MT41K256M16 se utiliza como memoria de ejecución principal, la CPU se accede a través del controlador DDR3, 16-bit de ancho de datos (1 → 16-bit DDR3 bus, 2 paralelo → 32-bit DDR3 bus)
    2. Equipo de comunicación de red
    En conmutadores ethernet industriales o aplicaciones de gateway y router de borde 5G, el chip de puerto de red o CPU recibe los datos primero, luego los datos se escriben a MT41K256M16 SDRAM, y finalmente se lee y escribe continuamente a través de burst para mejorar la tasa de rendimiento. Implemente acceso de emergencia de alta velocidad, ideal para grandes flujos de datos.
    3. Sistema de exhibición
    En pantallas táctiles industriales o dispositivos de visualización médica, el MT41K256M16 actúa como un caché de marco de imagen para almacenar el marco de visualización, el buffer gráfico y los datos de renderización de UI.
    4. Adquisición de datos industriales
    En aplicaciones como tarjetas de adquisición de datos, el MT41K256M16 se utiliza como caché de datos de muestreo de alta velocidad, desde el muestreo hasta la última CPU/ almacenamiento SDRAM. Soporta operaciones bancarias concurrentes y reduce el riesgo de pérdida de datos.
    5. Sistema vehicular/industrial del grado
    En el sistema de telemática y entretenimiento, el MT41K256M16 admite un amplio rango de temperatura y es capaz de operar 7*24 horas.


    Diferencia entre MT41K1G4, MT41K512M8 y MT41K256M16 en DDR3L SDRAM

    Modelo
    La forma de organización
    capacidad
    MT41K1G4
    128M × 4 × 8 banks
    1 Gb
    MT41K512M8
    64M × 8 × 8 banks
    512 Mb
    MT41K256M16
    32M × 16 × 8 banks
    256 Mb
    Nota: todos son DDR3L SDRAM con la misma interfaz, especificación de tiempo, nivel de voltaje y funcionalidad. La diferencia es solo la capacidad y la forma en que se organiza internamente (ancho de datos/número de bancos).


    Preguntas frecuentes para MT41K256M16

    Q1: ¿Cuál es la diferencia entre DDR3 y DDR3L?
    • DDR3:1,5 V
    • DDR3L: 1.35v (hacia abajo compatible con algunos controladores DDR3)
    DDR3L ahorra más energía y baja generación de calor. Es más adecuado para equipos industriales y embebidos que funcionan durante mucho tiempo.
    Q2: ¿Es esto una barra de memoria? ¿Se puede conectar directamente a la placa base?
    No. El MT41K256M16 es un IC de memoria desnuda (encapsulado en FBGA) que debe soldarse a la PCB y usarse a través del controlador DDR3 del SoC. No se puede conectar y desconectar como DIMM.
    Q3: ¿Puede ser reemplazado por otras marcas?
    Sí, sujeto a confirmación:
    • Voltaje DDR3L compatible
    • Consistente en capacidad y ancho de bits (256M x 16)
    • Es FBGA encapsulado y pinout compatible

    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Micron Technology Inc.
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    96-TFBGA
    Embalaje:
    Tray
    Estado del producto:
    Active
    Resistencia:
    Not Verified
    Tolerancia:
    Volatile
    Potencia (vatios):
    DRAM
    Composición:
    SDRAM - DDR3L
    Características:
    4Gbit
    Coeficiente de temperatura:
    256M x 16
    Temperatura de funcionamiento:
    Parallel
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    933 MHz
    Clasificaciones:
    -
    Tamaño/Dimensión:
    20 ns
    Altura - Asentado (Máx.):
    1.283V ~ 1.45V
    Número de terminaciones:
    -40°C ~ 105°C (TC)
    Tasa de fallos:
    Automotive
    Imagen
    Número de pieza
    Fabricante
    Serie
    Paquete/Caja
    Embalaje
    Estado del producto
    Programable
    Tipo de memoria
    Formato de memoria
    Tecnología
    Tamaño de la memoria
    Organización de la memoria
    Interfaz de memoria
    Frecuencia de reloj
    Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
    Tiempo de acceso
    Voltaje - Suministro
    Temperatura de funcionamiento
    Grado
    Calificación
    Tipo de montaje
    Proveedor Dispositivo Paquete

    Inventario:4,378

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