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    Buk7k6r2-40ex: MOSFET de n-canal de doble canal de alto rendimiento

    BUK7K6R2-40EX
    Número de pieza.:
    BUK7K6R2-40EX
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Paquete:
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    Descripción:
    MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
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    Detalles del artículo

    • Detalles
    • Especificaciones
    • Comparación

    Introduction

    El BUK7K6R2‑40EX es un MOSFET de canal N de dos canales encapsulado como LFPAK56D que pertenece a la familia BUK7K6 de Nexperia. , - Q101 auto certificación, fuente de voltaje para fugas 40V, fugas una corriente continua de 40A, derivado de la resistencia sólo 580 m Ω típica, con baja contracción, eficiencia y excelente rendimiento térmico. En sistemas de voltaje no superior a su V ₍ SVD ₎, su baja contracción, eficiente y excelentes características de rendimiento térmico, lo que potencia el interruptor de control, nuevos autos de alimentación de energía, muy muchos ámbitos como el control de la competitividad industrial.
    El BUK7K6R2‑40EX se describe en detalle por completo con sus características, ejemplos de aplicación, principios de funcionamiento y precauciones de diseño.

    Features

    • Dual MOSFET
    • Q101 compliant
    • Repetitive avalanche rated
    • Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
    • True standard level gate with VGS(th) of greater than 1 V at 175 °C

    Application


    1. sistema de 12 voltios para automóviles
    2. control de motores, lámparas y solenoides
    3. control de transmisión
    4. interruptor de potencia de ultra alto rendimiento

    Datasheet information



    • Fuentes de fugas de voltaje (V ₍ SVD ₎) : 40 V.
    • Corriente de drenaje continua (ID, 25 °C) : 40 A.
    • Mayor derivado de la resistencia R ₍ ds-1 (on) ₎ : 580 m Ω (en VGS = 10 V, ID = 20 A las condiciones típicas)
    • Rango de voltaje VGS: ±20 V max.
    • Carga total del polo de la puerta QG (típica): aproximadamente 32.3 nC.
    • Capacitancia de entrada Ciss: típico aprox. 1657 pF, máximo aprox. 2210 pF.
    • Disipación de potencia Pd: 68 W.
    • Rango de temperatura de unión tolerable (Tj): -55 °C a +175 °C.
    information


    Pin information

    Forma del paquete: LFPAK56D (también conocido como SOT1205, 8pin)

    Pin information

    working principle

    El buk7k6r2-40ex contiene dos transistores de canal N independientes y es un MOSFET de canal N de dos canales, cada canal está construido con una puerta, drenaje y fuente. El principio es aplicar un voltaje positivo entre la puerta y la fuente, y el canal de tipo N "aumenta" la conducción, permitiendo que los electrones fluyan desde la fuente hasta el dreno, lo que permite el control de corriente. El voltaje delantero es 0V, el MOSFET está en un estado de corte y no es conductor; El voltaje delantero excede el voltaje umbral y el canal se forma y conduce. Y R. ₍ ds-1 es bajo (on) ₎, derivado de la contracción a pequeñas, para mejorar la eficiencia, espacio de doble canal encapsular para ahorrar, reducir la complejidad con el diseño.
    Certificación de grado automotriz (aec-q101) + tolerancia a altas temperaturas, lo que lo hace más confiable en vehículos o entornos industriales.
    Además, el buk7k6r2-40ex tiene certificación de grado automotriz (AEC-Q101) y tolerancia a altas temperaturas, lo que lo hace más confiable en vehículos o entornos industriales. Con la tecnología de TrenchMOS, la estructura ranurada puede reducir la resistencia del canal y mejorar la capacidad de carga actual; Los dos canales dentro del paquete se pueden controlar independientemente o utilizar en paralelo para lograr una salida de alta potencia o una conducción de doble carga.
    En resumen, buk7k6r2-40ex realiza la función de conmutación o amplificación lineal controlando la corriente de la fuente de fuga a través del voltaje de la puerta. Actúa como un interruptor de alto rendimiento en el control de potencia automotriz, la conducción del motor y el convertidor dc-dc.

    Design Considerations



    1. Necesita hacer protección adicional o elegir un nivel de voltaje más alto: lidiar con el voltaje más alto de 40 V o tener una situación de mayor impacto de voltaje.
    2. Considere la gestión térmica: la resistencia de conducción aumenta con el aumento de la temperatura.
    3. Considere la resistencia térmica, ruta de disipación de calor: lidiar con la mala disipación de calor de PCB y alta temperatura ambiente.
    4. Atención a los parámetros como el accionamiento del polo de la puerta, pérdida de conmutación, capacitancia parásita, inductancia parásita: uso en paralelo o escenarios de aplicación de conmutación de alta frecuencia.

    Conclusion


    El buk7k6r2-40ex es una gran opción si necesita un MOSFET de doble canal, 40 V, 40 A, baja resistencia de conducción, grado automotriz. Su principio de funcionamiento se basa en la corriente de salida de control de voltaje de la puerta para lograr un interruptor electrónico de alta eficiencia, adecuado para la gestión de energía automotriz, control de motor, conversión dc-dc y escenarios de aplicaciones industriales de alta confiabilidad.

    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    Embalaje:
    Tape & Reel (TR)
    Estado del producto:
    Active
    Resistencia:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Tolerancia:
    2 N-Channel (Dual)
    Potencia (vatios):
    -
    Composición:
    40V
    Características:
    40A
    Coeficiente de temperatura:
    5.8mOhm @ 20A, 10V
    Temperatura de funcionamiento:
    4V @ 1mA
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    32.3nC @ 10V
    Clasificaciones:
    2210pF @ 25V
    Tamaño/Dimensión:
    68W
    Altura - Asentado (Máx.):
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Número de terminaciones:
    Automotive
    Tasa de fallos:
    AEC-Q100
    Imagen
    Número de pieza
    Fabricante
    Serie
    Paquete/Caja
    Embalaje
    Estado del producto
    Tecnología
    Configuración
    Característica FET
    Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
    Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
    Rds activado (máx.) a Id, Vgs
    Vgs(th) (máx.) a Id
    Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
    Potencia: máx.
    Temperatura de funcionamiento
    Grado
    Calificación
    Tipo de montaje
    Proveedor Dispositivo Paquete

    Inventario:3,852

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    SSM6N7002KFU,LF
    SSM6N7002KFU,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2N7002DW-7-F
    2N7002DW-7-F

    Diodes Incorporated

    SSM6L56FE,LM
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    SSM6N37FU,LF
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    Toshiba Semiconductor and Storage

    2N7002DWH6327XTSA1
    2N7002DWH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    2N7002BKS,115
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