Atrapar el ciclo de aumento de precio de los chips de almacenamiento: una comprensión profunda del rendimiento del mercado y el valor de W25Q16JVSSIQ

Número de pieza.:: W25Q16JVSSIQ

Fabricante:: Winbond Electronics Corporation

Paquete:: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Descripción:: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC

Quantity:: RFQ Añadir lista Comprar Añadir carrito

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Especificaciones
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El mercado mundial de chips de memoria ha experimentado un aumento significativo en los precios desde 2025, desde la DRAM principal hasta la memoria flash NAND se ven afectados por los cambios en la estructura de la oferta y la demanda. La noticia de que samsung y SK hynix planeaban un aumento del 60% al 70% en DRAM para servidores y teléfonos no pasó mucho tiempo antes de que se anunciara el aumento de precios en chips de almacenamiento. Esta vez es NOR Flash. Al entrar en el primer trimestre de 2026, se espera una ola de ajustes significativos en los precios de NOR Flash. Se espera que el nivel de aumento sea superior a las temporadas anteriores. El pase puede caer entre el 30% y el 100%, lo que genera una gran atención en la industria.

Conoce a W25Q16JVSSIQ

W25Q16JVSSIQ es un chip de memoria Flash NOR Serial de 16 Mbit de Winbond con interfaz de e/s SPI/Quad, soporta hasta aproximadamente 133 MHz de frecuencia de reloj y 2.7v ~ 3.6v de voltaje de alimentación, Ideal para sistemas embebidos para almacenar firmware, datos y configuraciones.

Características/características

Nueva serie de memorias flash SPI

W25Q16JV: 16M bits / 2M bytes (2.097.152)
SPI estándar: reloj (CLK), selección de piezas (/CS), entrada de datos (DI), salida de datos (DO)
doble SPI: reloj (CLK), selección de piezas (/CS), IO0, IO1
SPI cuádruple: reloj (CLK), selección de piezas (/CS), IO0, IO1, IO2, IO3
restablecimiento de software y hardware (1)

Más alto rendimiento serial flash

frecuencia de reloj SPI única 133MHz, doble/cuádruple frecuencia de reloj SPI 266/532mhz
tasa de transferencia de datos continua de 66MB/S
mínimo 100K ciclos de programa/borrado por sector
retención de datos de más de 20 años

Eficiente "lectura continua"

con 8/16/32/64 bytes de lectura cíclica
mínimo de 8 ciclos de reloj para acceder a la memoria
permite la verdadera operación XIP (ejecución de bits)
mejor rendimiento que la memoria flash paralela X16

Bajo consumo de energía y amplio rango de temperatura

rango de voltaje de alimentación única de 2.7v a 3.6v
rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +105°C
consumo de energía <1µA en modo de reposo (típico)

Arquitectura flexible, sector 4KB

sector unificado/borrado de bloque (4K/32K/64K bytes)
programable de 1 a 256 bytes por página programable
borrado/programación pausa y reanudación

Características de seguridad avanzadas

protección contra escritura de software y hardware
bloqueo de energía
protección especial OTP (2)
identificador único de 64 bits para cada dispositivo - registro de parámetros detectables (SFDP)
registro de seguridad de 3X256 bytes con un mecanismo de bloqueo programado de una sola vez
almacenamiento temporal vs bits de registro de estado de almacenamiento no temporal

Encapsulación eficiente del espacio

8 pines SOIC (150 micrones /208 micrones)
8 pines USON (2X3 mm /4X3 mm)
8 pines XSON (4X4 mm)
8 pines WSON (6X5 mm)
8 bolas WLCSP
póngase en contacto con wangbang para KGD y otras opciones

Configuración de pin

1 :/CS-- I --Chip Select Input
2:DO (IO1) --I/O --Data Output (Data Input Output 1)
3:/WP (IO2)-- I/O --Write Protect Input ( Data Input Output 2)
4: GND-- Ground
5: DI (IO0)-- I/O --Data Input (Data Input Output 0)
6 :CLK-- I-- Serial Clock Input
7:/HOLD or /RESET(IO3) --I/O-- Hold or Reset Input (Data Input Output 3)
8: VCC-- Power Supply

Valor nominal máximo absoluto

Uso de W25Q16JVSSIQ

Explicación del principio de funcionamiento

W25Q16JVSSIQ se comunica con el control principal a través de la interfaz SPI/Quad SPI. Con la estructura de almacenamiento NOR Flash, el W25Q16JVSSIQ realiza la lectura aleatoria, la escritura y el borrado del código del programa y de los datos sin pérdida de datos sin pérdida de energía.
1. Principio de la estructura de almacenamiento interno: W25Q16JVSSIQ pertenece a ni Flash, la lectura se puede acceder directamente por dirección, la escritura y el borrado deben realizar la operación de borrado primero.
2. Flujo de trabajo de comunicación SPI: selección de chip -- entrada de instrucciones -- fase de dirección -- transmisión de datos -- detección de estado
3. Mecanismo de trabajo de lectura/escritura/borrado

Lectura: no hay necesidad de borrar, soporte estándar SPI/Dual/Quad SPI, se puede utilizar directamente para el almacenamiento del programa con la ejecución XIP
Escritura: Write Enable debe ejecutarse primero, solo puede escribir bit de 1 a 0
Borrado: restaurar la unidad de almacenamiento a un estado completo 1 con una unidad de borrado más grande

4. Principio de no pérdida de datos cuando se pierde energía: el almacenamiento Flash adopta transistores de rejilla flotante, los datos se almacenan en forma de carga

Application

Almacenamiento de código de arranque MCU
Actualización de firmware (OTA)
Configuración de parámetros
Registro de datos guardados

Realización del valor de W25Q16JVSSIQ en un ciclo de aumento de precios

Bajo el ambiente general de aumento de precios en el mercado, W25Q16JVSSIQ tiene varios puntos competitivos

Estabilidad fuerte: como la serie de productos maduros de Winbond, tiene suministro estable con capacidad de producción en masa;
Ventajas de costo obviosas: comparado con los productos de gran capacidad NAND y DRAM, su costo por unidad de capacidad y el costo total todavía son más bajos;
Adaptación amplia: en el embedded, IoT, automotriz, control industrial y otros campos todavía se mantienen los requisitos de aplicación principales;
Elasticidad de la estrategia de inventario: capacidad de amortiguar el riesgo de volatilidad de precios a corto plazo a través de la producción en masa con control de inventario.

La tendencia actual del mercado para W25Q16JVSSIQ este tipo de chip de memoria

Wanghong, un fabricante chino taiwanés, señaló que la demanda en el mercado de computadoras y servidores se había recuperado antes y que los precios de los NOR al consumidor se habían recuperado. Otros fabricantes ya en octubre de 2025 dijeron que los productos de pequeña y mediana capacidad NOR Flash también estaban experimentando una tendencia al alza de precios. La capacidad total de NOR Flash está enlazada. Entre ellos, los productos de gran capacidad tienen un alto valor individual y un gran consumo de capacidad. En el momento de la escasez de suministro, los productos de gran capacidad experimentarán un aumento de precio temprano y gradualmente se trasladarán a los productos de pequeña y mediana capacidad. Se espera que NOR Flash durante todo el año 2026 todavía mantenga el ritmo general de aumento moderado de precios.
Los analistas de moore señalan que el aumento de 30 a 100 por ciento en el precio de la transmisión de NOR Flash se debe a "los resultados de la eliminación de la cadena de suministro". El actual gasto de capital mundial en semiconductores está inundando productos clave de servidores AI como HBM (memoria de alto ancho de banda) y DDR5, debido a su excelente rentabilidad bruta, que absorbe demasiado dinero y capacidad. Sin embargo, aunque el proceso de orden más alto no es requerido, la demanda del mercado no ha desaparecido, lo que ha dado lugar a una grave brecha estructural en la línea de productos maduros. Destacó que, aunque DRAM, NAND y NOR Flash no son los productos de primera línea, el actual aumento de precios es precisamente el resultado de una "falta de configuración de capacidad". El mercado de almacenamiento estará dominado hoy por el precio "quien paga más recibe".

Asesoramiento en estrategia de cadena de suministro

Suministro de bloqueo por adelantado: para W25Q16JVSSIQ y otros dispositivos comunes, contrato y compra por adelantado, reducir el riesgo de subida de precios;
Estrategia de regulación de inventario: establecer un inventario de seguridad razonable para hacer frente a las fluctuaciones cíclicas de precios;